【摘要】本實用新型是一種投射燈，其具有基座與燈組，基座形成有容槽，燈組是設置于基座的容槽內，燈組具有主散熱板與副散熱板，主散熱板的端部形成有交錯的穿孔與風孔，在穿孔處設有發光二極管，副散熱板是設置于主散熱板的側邊，副散熱板的端部形成有交錯的
【摘要】 一種非易失存儲器的制造方法，首先提供襯底，于襯底上依序形成復合介電層、犧牲層與掩膜層。之后，圖案化掩膜層，以形成暴露出犧牲層之多數個第一開口。接下來，移除第一開口所暴露出之部分犧牲層，再于第一開口中形成多數個第一柵極。之后，移除掩膜掩膜層，以于第一柵極之間形成多數個第二開口。然后，在第一柵極的頂部及側壁形成一絕緣層。接著，再移除這些第二開口所暴露出之部分犧牲層，并于這些第二開口中形成多數個第二柵極。多數個第二柵極與多數個第一柵極構成存儲胞串行。繼而，于存儲胞串行兩側之襯底中各自形成源極/漏極區。 【專利類型】發明申請 【申請人】力晶半導體股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610007017.5 【申請日】2006-02-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101022089A 【公開公告日】2007-08-22 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100461376C 【授權公告日】2009-02-11 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/8246; H01L21/70 【發明人】魏鴻基; 畢嘉慧 【主權項內容】1.一種非易失存儲器的制造方法，包括： 提供襯底； 于該襯底上形成復合介電層，該復合介電層包括底介電層、電荷俘 獲層與頂介電層； 于該復合介電層上形成犧牲層； 于該犧牲層上形成掩膜掩膜層； 圖案化該掩膜掩膜層，以形成暴露該犧牲層之多數個第一開口； 移除該些第一開口所暴露之部分該犧牲層； 于該些第一開口中形成多數個第一柵極，該些第一柵極與該些第一 柵極下方之該復合介電層構成多數個第一存儲胞； 移除該掩膜掩膜層，以于該些第一柵極之間形成多數個第二開口； 于該些第一柵極的頂部及側壁形成絕緣層； 移除該些第二開口所暴露之部分該犧牲層； 于該些第二開口中形成多數個第二柵極，該些第二柵極與該些第二 柵極下方之該復合介電層構成多數個第二存儲胞，該些第二存儲胞與該 些第一存儲胞構成存儲胞串行；以及 于該存儲胞串行兩側之該襯底中各自形成源極/漏極區。 【當前權利人】力晶科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【家族引證次數】5.0
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