【專利類型】外觀設計【申請人】莊世鴻【申請人類型】個人【申請人地址】臺灣省臺北縣永和市中和路343號14樓之2【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630052253.X【申請日】2006-02-15【申請年份】2006
【摘要】 一種半導體裝置，設置在第一導電類型基底上， 其具有柵極、第二導電類型漏極區、第二導電類型源極區和第 二導電類型第一輕摻雜區。柵極設置在第一導電類型基底上。 第二導電類型漏極區與第二導電類型源極區設置在柵極的兩 側的第一導電類型基底中。第二導電類型第一輕摻雜區設置在 柵極與第二導電類型源極區之間的第一導電類型基底中。 【專利類型】發明申請 【申請人】力旺電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610121682.7 【申請日】2006-08-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1967871A 【公開公告日】2007-05-23 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/78; H01L21/336 【發明人】王世辰; 陳信銘; 盧俊宏; 何明洲; 沈士杰; 徐清祥 【主權項內容】1.一種半導體裝置，包括： 柵極，設置在第一導電類型基底上， 第二導電類型漏極區與第二導電類型源極區，設置在該柵極兩側的該第 一導電類型基底中；和 第二導電類型第一輕摻雜區，設置在該柵極與該第二導電類型源極區之 間。 【當前權利人】力旺電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】41.0 【家族被引證次數】41
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