【摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件的制造方法。首先，在基材上形成金氧半導(dǎo)體元件。接著，在金氧半導(dǎo)體元件上形成一應(yīng)力層。最后，選擇性蝕刻位于閘電極上的應(yīng)力層，以改變金氧半導(dǎo)體元件的通道區(qū)中的應(yīng)變條件。NMOS晶體管可以包含一拉伸應(yīng)力層，而P
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】曜越科技股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】臺(tái)灣省臺(tái)北縣深坑鄉(xiāng)北深路3段155巷27號(hào)8樓 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630009819.0 【申請(qǐng)日】2006-03-31 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN3623817D 【公開(kāi)公告日】2007-03-21 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3623817D 【授權(quán)公告日】2007-03-21 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】林培熙 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無(wú) 【當(dāng)前權(quán)利人】曜越科技股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺(tái)灣省臺(tái)北縣深坑鄉(xiāng)北深路3段155巷27號(hào)8樓
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