【摘要】一種納米銅顆粒分散二氧化硅光學(xué)薄膜制備方 法，屬于納米金屬顆粒與無機非金屬材料復(fù)合材料領(lǐng)域。采用 溶膠－凝膠法進行CuSiO2復(fù)合 薄膜的制備。工藝為：配料：原料為硝酸銅與正硅酸乙脂，正 硅酸乙脂溶液的濃度為0.1～1molL，溶劑
【摘要】 本發(fā)明屬于環(huán)氧樹脂組合物領(lǐng)域，特別涉及適合于大功率發(fā)光二極管封裝用耐紫外和高溫老化的有機硅環(huán)氧樹脂組合物。該組合物的組分及含量為：分子結(jié)構(gòu)同時含有至少一個Si－H基團和一個基團的有機硅環(huán)氧樹脂100重量份，其它環(huán)氧樹脂大于0小于等于200重量份，催化劑0.01～0.1重量份；所述的催化劑是β二酮金屬絡(luò)合物、β酮脂金屬絡(luò)合物或它們的混合物。通過共混、澆注、固化成型。本發(fā)明的組合物具有優(yōu)良的光學(xué)透明性和優(yōu)良抗紫外、抗高溫老化性能，可用于發(fā)光或者光學(xué)器件的封裝材料或者用作光學(xué)膠粘劑，尤其適合于用作大功率LED的封 裝材料。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院化學(xué)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村北一街2號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610083846.1 【申請日】2006-06-05 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101085855A 【公開公告日】2007-12-12 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100556954C 【授權(quán)公告日】2009-11-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】C08L63/00; C09K3/10; H01L33/00; H01L23/29; H01L23/28 【發(fā)明人】黃偉; 余云照; 袁有學(xué) 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種發(fā)光二極管封裝用耐紫外和高溫老化的有機硅環(huán)氧樹脂組合物， 其特征是，以重量份計，該組合物的組分及含量為： 有機硅環(huán)氧樹脂100份， 其它環(huán)氧樹脂大于0小于等于200份， 催化劑0.01～0.1份； 所述的有機硅環(huán)氧樹脂的每個分子中同時含有至少一個Si-H基團和一個 基團，所述的有機硅環(huán)氧樹脂具有以下結(jié)構(gòu)： 其中：R1是CH3或C6H5；R2是CaH2a，a≥2；R3、R4是H、CH3或C6H5；Re 是CH3或 其中R2是CaH2a，a≥2； m+n＝4，m＝0～2；m1＝0～500，n1＝0～500。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院化學(xué)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村北一街2號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012238A 【引證次數(shù)】4.0 【被引證次數(shù)】16 【自引次數(shù)】2.0 【他引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】16.0 【家族引證次數(shù)】10.0 【家族被引證次數(shù)】16
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