【摘要】本發明公開了一種提取見報資料數據信息的方 法，其核心是：根據報紙版面的排版文件的版面信息結構提取 版面信息和所有稿件區域信息；根據所述排版文件的稿件信息 結構提取所述所有稿件區域中的稿件；根據所述稿件區域的位 置關系提取稿件之間存在
【摘要】 一種納米銅顆粒分散二氧化硅光學薄膜制備方 法，屬于納米金屬顆粒與無機非金屬材料復合材料領域。采用 溶膠－凝膠法進行Cu/SiO2復合 薄膜的制備。工藝為：配料：原料為硝酸銅與正硅酸乙脂，正 硅酸乙脂溶液的濃度為0.1～1mol/L，溶劑為乙二醇獨甲醚和 去離子水，其中去離子水與乙二醇獨甲醚的比例控制在5％～ 20％；硝酸銅與正硅酸乙脂摩爾比為0.06∶1～1.5∶1；制備前 驅體溶液；制備Cu/SiO2薄膜。 本發明的優點在于：采用勻膠機制備薄膜，價格低廉，反應溫 度300℃～900℃，薄膜化學計量成分可控，制備周期短，節省 能源。制備的納米銅顆粒分散二氧化硅非線性光學薄膜具有優 良的非線性光學特性，在特定的波長處可觀察到吸收峰，復合 薄膜中Cu含量最高達到90wt％。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京科技大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100083北京市海淀區學院路30號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610088914.3 【申請日】2006-07-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1888937A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100392431C 【授權公告日】2008-06-04 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】G02B1/00 【發明人】張波萍; 焦力實; 丁昕禎; 陳燦; 張海龍 【主權項內容】1、一種納米銅顆粒分散二氧化硅光學薄膜制備方法，采用溶膠-凝 膠法進行Cu/SiO2復合薄膜的制備，其中Cu的含量為6～60wt％之間； 工藝為： a、配料：原料為硝酸銅與正硅酸乙脂，正硅酸乙脂溶液的濃度為 0.1～1mol/L，溶劑為乙二醇獨甲醚和去離子水，其中去離子水與乙二醇 獨甲醚的比例控制在5％～20％；硝酸銅與正硅酸乙脂摩爾比為0.06∶1～ 1.5∶1； b、制備前驅體溶液：首先將正硅酸乙脂，溶于去離子水和乙二醇獨 甲醚溶劑中，在超聲波清洗器中攪拌1～20分，加入1～20滴濃硝酸， 攪拌1～10小時進行水解和縮聚，然后加入Cu(NO3)2，再次攪拌0.5～3 小時，制得Cu/SiO2前驅體溶液； c、制備Cu/SiO2薄膜：用勻膠機進行薄膜制備，基板為玻璃或石英 基板，將溶液滴到基板上，以200～1000rpm運轉5～20秒鐘后，再1000～ 5000rpm運轉10～50秒鐘，每勻膠一次后進行一次熱分解處理，熱分解 溫度為100℃～600℃，時間為2～300秒鐘；勻膠1～200次后，將試樣 置H2氣氛熱處理爐中退火，使薄膜中的殘留有機物揮發并使薄膜中 Cu(NO3)2分解，退火溫度為300℃～900℃，退火時間為0.5～120分鐘， 制得薄膜的層數為1～200層。 【當前權利人】北京科技大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區學院路30號 【統一社會信用代碼】121000004000022245 【引證次數】6.0 【被引證次數】3 【自引次數】4.0 【他引次數】2.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】9.0 【家族被引證次數】6
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776329275.html
喜歡就贊一下
