【摘要】一種寬光譜砷化銦砷化鋁鎵量子點(diǎn)材料生長方法，所述材料生長方法是基于分子束外延設(shè)備的掩埋自組織量子點(diǎn)材料的生長方法，其中包括如下步驟：取一襯底；在襯底上制備砷化鋁鎵緩沖層，該緩沖層是下述有源區(qū)的下勢(shì)壘層；在砷化鎵緩沖層上制備有源區(qū)，該
【摘要】 一種“中”字形諧振式硅微機(jī)械壓力傳感器主要包括：基底、膜片以及敏感元件三部分，其中感受外界壓力的膜片利用MEMS工藝制作在基片上，在敏感元件上有兩個(gè)對(duì)稱的固定在基底的錨點(diǎn)以及中間固定在膜片上的“回”形結(jié)構(gòu)，三個(gè)錨點(diǎn)通過兩個(gè)懸臂梁連接，“回”形錨點(diǎn)與與其相連的一對(duì)懸臂梁組成一個(gè)“中”字，稱該傳感器為“中”字形諧振式壓力傳感器；在每個(gè)懸臂梁上各用微機(jī)械工藝制作了兩個(gè)熱電阻，其中一個(gè)作激勵(lì)電阻，產(chǎn)生測(cè)試需要的位移，另一個(gè)用來拾取激勵(lì)信號(hào)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、抗干擾能力強(qiáng)、成本低、測(cè)試精度高，適用于對(duì)氣體壓力進(jìn)行測(cè)試。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】北京航空航天大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】100083北京市海淀區(qū)學(xué)院路37號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610165575.4 【申請(qǐng)日】2006-12-22 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1986385A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100465088C 【授權(quán)公告日】2009-03-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】B81B7/02; G01L7/08; G01L9/02 【發(fā)明人】樊尚春; 郭占社 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種“中”字形諧振式硅微機(jī)械壓力傳感器，其特征在于：主要包括：基底、膜片 以及敏感元件三部分，其中感受外界壓力的膜片利用微機(jī)械工藝制作在基片上，在敏感元件 上有兩個(gè)對(duì)稱的固定在基底的錨點(diǎn)以及中間固定在膜片上的“回”形結(jié)構(gòu)，三個(gè)錨點(diǎn)通過兩 個(gè)懸臂梁連接，“回”形錨點(diǎn)和與其相連的一對(duì)懸臂梁組成一個(gè)“中”字；在每個(gè)懸臂梁上 各用微機(jī)械工藝制作了兩個(gè)熱電阻，其中一個(gè)作激勵(lì)電阻，產(chǎn)生測(cè)試需要的位移，另一個(gè)用 來拾取激勵(lì)信號(hào)。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京航空航天大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)學(xué)院路37號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400011227Y 【被引證次數(shù)】10 【被他引次數(shù)】10.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】10
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