【專利類型】外觀設計【申請人】北京宇朔尚源科技有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】100086北京市海淀區北三環西路47號乾江商務樓C3【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】海淀區【申請號】CN200630021958.5
【摘要】 一種寬光譜砷化銦/砷化鋁鎵量子點材料生長方法，所述材料生長方法是基于分子束外延設備的掩埋自組織量子點材料的生長方法，其中包括如下步驟：取一襯底；在襯底上制備砷化鋁鎵緩沖層，該緩沖層是下述有源區的下勢壘層；在砷化鎵緩沖層上制備有源區，該有源區是該砷化銦/砷化鋁鎵量子點材料的核心部分，為該材料的光譜發射區；在有源區上制備低溫砷化鋁鎵蓋層，該低溫砷化鋁鎵蓋層為上述有源區的上勢壘層；在低溫砷化鋁鎵蓋層上制備高溫砷化鋁鎵蓋層，該高溫砷化鋁鎵蓋層是該砷化銦/砷化鋁鎵量子點材料的最外一層，具有保護作用，完成材料的生長。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610064883.8 【申請日】2006-03-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101038866A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100459045C 【授權公告日】2009-02-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/20; H01L33/00; H01L31/18; H01S5/343; H01L33/06 【發明人】劉寧; 金鵬; 王占國 【主權項內容】1、一種寬光譜砷化銦/砷化鋁鎵量子點材料生長方法， 所述材料生長方法是基于分子束外延設備的掩埋自組織量子 點材料的生長方法，其特征在于，包括如下步驟： (1)取一襯底； (2)在襯底上制備砷化鋁鎵緩沖層，該緩沖層是下述有 源區的下勢壘層； (3)在砷化鎵緩沖層上制備有源區，該有源區是該砷化 銦/砷化鋁鎵量子點材料的核心部分，為該材料的光譜發射區； (4)在有源區上制備低溫砷化鋁鎵蓋層，該低溫砷化鋁 鎵蓋層為上述有源區的上勢壘層； (5)在低溫砷化鋁鎵蓋層上制備高溫砷化鋁鎵蓋層，該 高溫砷化鋁鎵蓋層是該砷化銦/砷化鋁鎵量子點材料的最外一 層，具有保護作用，完成材料的生長。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】8 【被自引次數】3.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】8
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