【摘要】首先提供一半導體基底,該半導體基底具有一第一有源區域用以制備一第一晶體管以及一第二有源區域用以制備一第二晶體管。然后形成一第一柵極結構于該第一有源區域上、一第二柵極結構于該第二有源區域上以及一第一間隙壁于各柵極結構上,接著形成該第一
【專利類型】外觀設計 【申請人】瀚斯寶麗股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630120715.7 【申請日】2006-07-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3649311D 【公開公告日】2007-05-23 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3649311D 【授權公告日】2007-05-23 【授權公告年份】2007.0 【發明人】朱志明 【主權項內容】無 【當前權利人】瀚斯寶麗股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市
未經允許不得轉載:http://www.mhvdw.cn/1776890501.html
喜歡就贊一下






