【專利類型】外觀設計【申請人】羅田【申請人類型】個人【申請人地址】中國臺灣臺北市瑞光路478巷18弄20號7樓【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630014896.5【申請日】2006-04-20【申請年份】2006
【摘要】 首先提供一半導體基底，該半導體基底具有一第一有源區域用以制備一第一晶體管以及一第二有源區域用以制備一第二晶體管。然后形成一第一柵極結構于該第一有源區域上、一第二柵極結構于該第二有源區域上以及一第一間隙壁于各柵極結構上，接著形成該第一晶體管與該第二晶體管的源極與漏極區域。隨后移除該第一柵極結構與該第二柵極結構周圍的第一間隙壁、覆蓋一遮蓋層于該第一晶體管及該第二晶體管表面以及去除該第二晶體管表面的該遮蓋層。然后各形成一凹槽于該第二晶體管的柵極結構上及周圍，接著于該凹槽內分別形成一外延層。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610168436.7 【申請日】2006-12-06 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1983564A 【公開公告日】2007-06-20 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100411146C 【授權公告日】2008-08-13 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/8238; H01L21/70 【發明人】丁世汎; 黃正同; 吳勁昌; 李坤憲; 洪文瀚; 鄭禮賢; 沈澤民; 鄭子銘; 李年中 【主權項內容】 。1.一種制作應變硅互補式金屬氧化物半導體晶體管的方法，該方法包 括下列步驟： 提供半導體基底，該半導體基底具有第一有源區域用以制備第一晶體 管、至少一第二有源區域用以制備第二晶體管、以及絕緣結構設于該第一 有源區域與該第二有源區域之間； 形成至少一第一柵極結構于該第一有源區域上與至少一第二柵極結構 于該第二有源區域上； 分別形成第一間隙壁于該第一柵極結構與該第二柵極結構周圍； 分別形成該第一晶體管的源極與漏極區域與該第二晶體管的源極與漏 極區域； 移除該第一柵極結構與該第二柵極結構周圍的第一間隙壁； 覆蓋遮蓋層于該第一晶體管及該第二晶體管表面； 去除該第二晶體管表面的該遮蓋層； 進行蝕刻工藝，以于該第二柵極結構上及周圍的半導體基底中各形成 凹槽； 進行選擇性外延生長工藝，以于各該凹槽內分別形成外延層；以及 去除該第一晶體管表面的該遮蓋層。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】19 【被自引次數】2.0 【被他引次數】17.0 【家族引證次數】10.0 【家族被引證次數】20
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