【摘要】一種多晶硅層的制造方法，其先提供一基板，此基板具有正面與背面。接著，依序形成緩沖層、非晶硅層與頂蓋層于基板的正面上。再來(lái)，圖形化頂蓋層而形成一圖形化頂蓋層，其暴露出部分非晶硅層，其中所暴露出的部分非晶硅層的區(qū)域是一結(jié)晶開(kāi)始區(qū)域。繼之
【摘要】 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種具有低插入力及高夾持力的連接器，其包含一本體設(shè)有一插槽以供子板插入；多數(shù)相對(duì)容置溝；多數(shù)突出物設(shè)于容置溝內(nèi)；多數(shù)端子可安裝在容置溝內(nèi)，端子具有一隆起部可與子板做機(jī)械性及電氣性的接觸，一基部貼附在容置溝的壁面上，及一平面部設(shè)在隆起部與基部之間；當(dāng)子板插入本體的插槽時(shí)，將使端子的平面部與突出物接觸，而改變端子的力臂位置，藉此達(dá)到分力作用，讓子板可易于插拔，且具有良好的夾持力。 【專(zhuān)利類(lèi)型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】施玉春 【申請(qǐng)人類(lèi)型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】臺(tái)灣省臺(tái)北縣樹(shù)林市東興街16巷23號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620052096.7 【申請(qǐng)日】2006-09-01 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN200959397Y 【公開(kāi)公告日】2007-10-10 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN200959397Y 【授權(quán)公告日】2007-10-10 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】施玉春 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種具有低插入力及高夾持力的連接器，其包括有一本體，該本體 設(shè)有一供子板插入的插槽、數(shù)個(gè)相對(duì)的容置溝，數(shù)支撐板分別設(shè)在該容置 溝與插槽之間，該連接器還包括有數(shù)個(gè)端子，該端子可安置于容置溝內(nèi)，其 特征在于：所述端子設(shè)有一頂部，該頂部安放在所述本體的容置溝內(nèi)，且 與支撐板接觸，該頂部向下延伸有一向內(nèi)彎曲且進(jìn)入該插槽的隆起部，該 隆起部與子板可做機(jī)械性及電氣性的接觸，該隆起部向下延伸有一基部， 該基部貼附在容置溝的壁面上，該基部向下延伸有一接腳，及一平面部設(shè) 在該隆起部與基部之間；多數(shù)突出物設(shè)于該本體的容置溝中，該突出物與 該端子的平面部之間形成有一空間。 【當(dāng)前權(quán)利人】施玉春 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】臺(tái)灣省臺(tái)北縣樹(shù)林市東興街16巷23號(hào)
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