【摘要】首先提供一半導體基底，該半導體基底具有一第一有源區(qū)域用以制備一第一晶體管以及一第二有源區(qū)域用以制備一第二晶體管。然后形成一第一柵極結構于該第一有源區(qū)域上、一第二柵極結構于該第二有源區(qū)域上以及一第一間隙壁于各柵極結構上，接著形成該第一
【摘要】 本發(fā)明涉及一種一體成型框架結構及其制法，利用一體成型具有鉚釘的邊框構件以一體成型具有鉚接孔的邊框構件，將其鉚接并以沖壓方式完成所需的一體成型框架；無須使用傳統(tǒng)焊接、溶劑、黏劑或膠合程序來接合邊框構件，使用一般沖壓設備便可完成一體成型框架的制作。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】州巧科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹縣竹北市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610093737.8 【申請日】2006-06-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101090611A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H05K5/00; G09F9/00 【發(fā)明人】蔡文清 【主權項內容】1.一種一體成型框架結構，其特征在于，包含： 至少一第一邊框構件與至少一第二邊框構件； 一第一接合部與至少一第一鉚釘部，設置于該第一邊框構件的端 部；以及 一第二接合部與至少一第二鉚接孔，設置于該第二邊框構件的端 部，其中 該第一鉚釘部凸起于該第一接合部； 該第二鉚接孔貫穿該第二接合部； 該第一接合部的該第一鉚釘部對應穿過該第二接合部的該第二鉚 接孔并填滿該第二鉚接孔用以將該第一邊框構件與該第一邊框構件對 位接合；以及 該第一接合部與該第二接合部的結合厚度相當于該第一邊框構件 與該第二邊框構件的厚度。 【當前權利人】州巧科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹縣竹北市
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