【摘要】一種氮化鎵系半導(dǎo)體的成長(zhǎng)方法，用于提供一個(gè)制造固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光裝置所需要的基礎(chǔ)，該成長(zhǎng)方法包含下列步驟：提供一塊基材，在該基材上形成多個(gè)間隔散布的氮化鎵系材料的島狀凸塊，在上述島狀凸塊上形成一層由氮化鎵系為主的材料所制成的基礎(chǔ)層；借由
【摘要】 本發(fā)明公開一種含油軸承，其包括一軸孔以及多個(gè)溝槽。該各個(gè)溝槽是從該軸承的內(nèi)壁延伸經(jīng)過該軸承頂面至該軸承外壁，可有效地導(dǎo)引軸承內(nèi)潤(rùn)滑油氣的流動(dòng)。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣桃園縣 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610075388.7 【申請(qǐng)日】2006-04-11 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101055002A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN101055002B 【授權(quán)公告日】2010-05-12 【授權(quán)公告年份】2010.0 【發(fā)明人】徐偉峻; 張楯成; 黃文喜 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種軸承，包括： 一軸孔；以及 多個(gè)第一溝槽，形成于該軸孔的一壁面，且延伸至該軸承的頂面。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣桃園縣 【被引證次數(shù)】10 【被他引次數(shù)】10.0 【家族被引證次數(shù)】11
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