【摘要】本發明是有關于一種液晶顯示裝置的背光模組及擴散板。該液晶顯示裝置的背光模組，是包括一擴散板以及一發光單元。擴散板是具有至少一柱狀透鏡，其是位于擴散板的一側，且柱狀透鏡是具有至少一次凸部；發光單元所射出的一光線是射向擴散板。該擴散板，
【摘要】 一種柵氧化層制備方法首先形成至少兩條溝槽于基板之中，這兩條溝槽之間形成主動區域。之后，形成介電區塊于該溝槽之中，該介電區塊之上表面不對齊該基板之上表面。接著，進行摻雜工藝，將含氮摻質植入該主動區域之基板中，該主動區域中心處之基板內的含氮摻質濃度高于該主動區域邊緣處。然后，進行熱氧化工藝以形成柵氧化層于該主動區域之基板的上表面。通過該含氮摻質抑制熱氧化反應速率，可避免該主動區域邊緣處之柵氧化層厚度小于該主動區域中心處之柵氧化層厚度的情形發生。 【專利類型】發明申請 【申請人】茂德科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹市科學工業園區力行路十九號三樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610001049.4 【申請日】2006-01-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005030A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100431109C 【授權公告日】2008-11-05 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/316; H01L21/283; H01L21/336; H01L21/02 【發明人】陳中怡; 朱志勛; 周志文 【主權項內容】1.一種柵氧化層之制備方法，其特征是包含下列步驟： 形成遮罩層于基板上，該遮罩層具有至少兩個開口； 形成兩條溝槽于這兩個開口下方之基板中，這兩條溝槽之間形成主動 區域； 形成介電區塊于該溝槽中，該介電區塊之上表面不對齊該基板之上表 面； 進行摻雜工藝，將含氮摻質植入該主動區域之基板中；以及 進行熱氧化工藝以形成柵氧化層于該主動區域之基板的上表面。 【當前權利人】茂德科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹市科學工業園區力行路十九號三樓 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】7.0 【家族被引證次數】5
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