【摘要】本發(fā)明公開了一種N溝道TFT以及使用該TFT的OLED顯示裝置和電子器件。所述N溝道TFT包含：襯底、在襯底上的有源層，其中有源層包含N型源極區(qū)域和N型漏極區(qū)域、在有源層上的柵極介電層、以及在柵極介電層上的柵極區(qū)域。重摻雜的源極區(qū)域
【摘要】 本發(fā)明是有關(guān)于一種用于半導體制程的光微影 方法，包含提供一基材當作一晶圓，以及提供一光罩來曝光此 晶圓。此晶圓是使用一種組合高角度照明方法及焦點漂移曝光 方式來進行曝光。利用這種整合高角度照明方法和焦點漂移曝 光方法的光微影制程，可以降低鄰近效應，并增加焦點深度。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業(yè)園區(qū)力行六路8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610149997.2 【申請日】2006-10-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1955847A 【公開公告日】2007-05-02 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100514192C 【授權(quán)公告日】2009-07-15 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】陳桂順; 林進祥; 高蔡勝; 陳俊光; 陸曉慈; 梁輔杰 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種半導體制造方法，其特征在于該制造方法包含： 提供一基材； 覆蓋一光阻層于該基材之上；以及 利用高角度照明方法以及焦點漂移曝光方法的組合曝光該基材。 【當前權(quán)利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業(yè)園區(qū)力行六路8號 【被引證次數(shù)】1 【家族被引證次數(shù)】5
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