【摘要】本發明提供一種物質改性裝置，其包含至少兩個電磁線圈并提供其電源的一電源供應器。所述兩個電磁線圈通電后的磁場極性相反(即一為N極，一為S極)，且各電磁線圈是由一包含復數條導電線的平板線束螺旋環繞而成。所述復數條導電線彼此絕緣。各電磁線
【摘要】 本發明公開了一種N溝道TFT以及使用該TFT的OLED顯示裝置和電子器件。所述N溝道TFT包含：襯底、在襯底上的有源層，其中有源層包含N型源極區域和N型漏極區域、在有源層上的柵極介電層、以及在柵極介電層上的柵極區域。重摻雜的源極區域的至少一部分位于柵極區域的下面，且輕摻雜的漏極區域的至少一部分位于柵極區域的下面。 【專利類型】發明申請 【申請人】統寶光電股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610127181.X 【申請日】2006-09-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075641A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100530697C 【授權公告日】2009-08-19 【授權公告年份】2009.0 【發明人】林敬偉 【主權項內容】1.一種N溝道TFT，包含： 襯底； 在所述襯底上的有源層，其中所述有源層包含N型源極區域和N型漏 極區域； 在所述有源層上的柵極介電層；和 在所述柵極介電層上的柵極區域； 其中所述源極區域包含重摻雜的源極區域，其中所述重摻雜的源極區域 的至少一部分位于所述柵極區域的下面， 其中所述漏極區域包含第一摻雜漏極區域和第二摻雜漏極區域，其中所 述第一摻雜漏極區域的摻雜濃度低于所述第二摻雜漏極區域的摻雜濃度，其 中所述第一摻雜漏極區域為輕摻雜的漏極區域，其中所述輕摻雜的漏極區域 的至少一部分位于所述柵極區域的下面。 【當前權利人】統寶光電股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業區 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族被引證次數】6
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