【摘要】一種定位系統(tǒng)，包含影像顯示器和影像傳感器。所述影像顯示器包括至少三個不共線且分別被給定不同識別碼的可產生光的定位基元及一個位于或鄰近于所述定位基元其中的兩個基元的連線的可產生光的輔助基元。所述影像傳感器用以接收所述定位基元和所述輔助
【摘要】 一種半導體結構的制作方法，首先，提供一基底，此基底上已形成有柵極結構，其中柵極結構的側壁上已形成有間隙壁，且柵極結構二側的基底中已形成有源/漏極延伸區(qū)。接著，于間隙壁旁的基底中形成開口。然后，于開口底部的基底中或基底上形成源/漏極區(qū)。繼之，于源/漏極區(qū)與柵極結構上形成金屬硅化物層。之后，于基底表面形成應力層。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610075488.X 【申請日】2006-04-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101060082A 【公開公告日】2007-10-24 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/336; H01L21/8238; H01L29/78; H01L27/092; H01L21/02; H01L21/70; H01L27/085; H01L29/66 【發(fā)明人】丁世汎; 黃正同; 洪文瀚; 鄭禮賢; 鄭子銘 【主權項內容】1、一種半導體結構的制作方法，包括： 提供基底，該基底上已形成有柵極結構，其中該柵極結構的側壁上已形 成有間隙壁，且該柵極結構二側的該基底中已形成有源/漏極延伸區(qū)； 于該間隙壁旁的該基底中形成開口； 于該開口底部的該基底中或該基底上形成源/漏極區(qū)； 于該源/漏極區(qū)與該柵極結構上形成金屬硅化物層；以及 于該基底表面形成應力層。 【當前權利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】7 【被他引次數(shù)】7.0 【家族被引證次數(shù)】7
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