【專利類型】外觀設計【申請人】南浩俊【申請人類型】個人【申請人地址】133000吉林省延吉市朝陽街豐美委十一組豐富胡同【申請人地區】中國【申請人城市】延邊朝鮮族自治州【申請人區縣】延吉市【申請號】CN200630128418.7【申請日】2
【摘要】 一種掩模層的形成方法，首先，提供一基底。再于基底上形成掩模層。然后，將掩模層圖案化，以形成圖案化掩模層，并裸露部分基底的表面。接著，進行圓弧化工藝，以圓弧化圖案化掩模層的頂部邊角。 【專利類型】發明申請 【申請人】力晶半導體股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610005896.8 【申請日】2006-01-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005027A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/311; H01L21/762; H01L21/02; H01L21/70 【發明人】陳志銘; 潘建勛; 黃德浩; 邱達燕; 劉慶冀 【主權項內容】1.一種掩模層的形成方法，包括： 提供基底； 于該基底上形成掩模層； 圖案化該掩模層，以形成圖案化掩模層，并裸露部分該基底的表面；以 及 進行圓弧化工藝，以圓弧化該圖案化掩模層的頂部邊角。 【當前權利人】力晶半導體股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣新竹市 【被引證次數】8 【被他引次數】8.0 【家族被引證次數】8
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776919971.html
喜歡就贊一下
