【摘要】本發明公開了一種不當移位晶片檢測系統包含晶片傳送盒、晶盒開啟器、水平移載器以及檢測器。上述晶片傳送盒包含位于第一位置的多個晶片。上述晶盒開啟器開啟上述晶片傳送盒。水平移載器用以從上述晶片傳送盒取出上述多個晶片至第二位置。當上述多個晶
【摘要】 本發明公開了一種熱絕緣存儲元件，其包括存儲單元，該存儲單元包括多個電極，其間帶有過孔；熱絕緣體位于該過孔中并界定空洞延伸在電極表面之間。一種如相變材料等的存儲材料，位于該空洞中并電耦接到這些電極以生成存儲材料元件。該熱絕緣體可幫助降低操作該存儲材料元件所需要的電能。電極可接觸到栓塞的外表面，以填補位于栓塞表面的不平整處的任何如孔洞型瑕疵等。本發明同時公開一種用于制造該元件并填補栓塞表面不平整處的方法。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610146335.X 【申請日】2006-11-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101013737A 【公開公告日】2007-08-08 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L45/00; H01L27/24; H01L21/82; G11C11/56; G11C16/02 【發明人】龍翔瀾 【主權項內容】1、一種熱絕緣存儲元件，包括： 存儲單元存取層，包括用作終端的多個摻雜區域；以及 存儲單元層，其用于與該存儲單元存取層耦接，并包括存儲單元 耦接到與所述這些摻雜區域之一電連接的存取導體，及具有接點表 面，該存儲單元包括： 第一與第二電極構件，具有彼此相對且分離的電極表面，該第一 電極構件接觸到該存取導體的該接點表面； 電極間絕緣層，介于該第一與第二電極表面之間，其包括延伸經 過介于所述這些電極表面間的該電極間絕緣層的過孔； 位于該過孔中的熱絕緣體，其位于該過孔中的側壁以界定絕緣過 孔；以及 可編程電阻材料，其位于該絕緣過孔中，并電耦接到所述這些電 極表面。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【引證次數】6.0 【被引證次數】3 【他引次數】6.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】3
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