【摘要】一種近全致密高W含量W－Cu復合材料與高Mo含量Mo－Cu復合材料的制備方法，屬于粉末冶金技術領域。W－Cu或Mo－Cu復合材料的組成成分為：W－5～35wt％Cu或Mo－10～45wt％Cu；復合材料中的W或Mo粉采用粒度配比的方
【摘要】 本實用新型涉及一種防止電路板結露的控制電路，應用于電動執(zhí)行器，它由分相電阻、分相電容、繼電器、可控硅、溫度傳感器、光電耦合器、電機和單片機所構成，繼電器的常閉觸點的一端與電機的正/反轉(zhuǎn)控制端相連，另一端分別與分相電阻、分相電容及可控硅的輸出端相接，繼電器的常開觸點的一端與電機M的公共端相連，另一端與分相電容、繼電器的常閉觸點及可控硅輸出端的匯集點相接。本實用新型將電路中分相電阻的功能擴展，除起分相作用外還作為加熱元件使用，在節(jié)省元件的同時，實現(xiàn)了防止電路板結露的功能，降低了產(chǎn)品成本，減小了元件在電動執(zhí)行器內(nèi)部的占用空間。 ： 【專利類型】實用新型 【申請人】王建成 【申請人類型】個人 【申請人地址】100088北京市海淀區(qū)志強北園15號樓3門403號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620119176.X 【申請日】2006-08-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200950230Y 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200950230Y 【授權公告日】2007-09-19 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】G05D23/19; G05D23/24; H02P1/44; G05D23/20; H02P1/16 【發(fā)明人】王建成 【主權項內(nèi)容】1、一種用于電動執(zhí)行器防止電路板結露的電路，由分相電阻(R1)、分相 電容(C)、繼電器(J)、可控硅(D1、D2)、溫度傳感器(W)、光電耦合器(U2)、 電機(M)和單片機(U1)所構成，其特征在于：繼電器(J)的常閉觸點(JB1、 JB2)的一端與電機(M)的正/反轉(zhuǎn)控制端相連，另一端分別與分相電阻(R1)、 分相電容(C)及可控硅(D1、D2)的輸出端相接；繼電器(J)的常開觸點(JK1) 的一端與電機(M)的公共端相連，另一端與分相電容(C)、繼電器(J)的 常閉觸點(JB2)及可控硅(D2)輸出端的匯集點相接；光電耦合器(U2)的輸 出端與可控硅(D1、D2)的控制端相連，單片機(U1)的I/O端口分別與光電 耦合器(U2)的輸入端、繼電器(J)的控制端及溫度傳感器(W)相接，電機 (M)的公共端及可控硅(D1、D2)的公共端分別與電源相連接。 【當前權利人】王建成 【當前專利權人地址】北京市海淀區(qū)志強北園15號樓3門403號 【被引證次數(shù)】1 【被他引次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】1
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