【摘要】本發明公開了一種多孔硅片及其制備方法 (Silicon on Porous－silicon，SOP)。本發明所提供的多孔硅片， 包括位于正面的硅層和與硅層一體成型的多孔硅層。本發明利 用多孔硅電化學加工技術在硅襯底上生長多孔硅能夠有
【摘要】 本發明涉及一種超疏水導電纖維，其為表面包覆了20～1000納米厚、由直徑為400～900納米的導電高分子微粒組成的導電聚合物層的纖維。該纖維為利用導電聚合物化學氧化原位聚合方法在纖維表面包覆導電聚合物層而得。本發明還涉及一種超疏水導電織物，其為在表面包覆了20～1000納米厚、由直徑為400～900納米的導電高分子微粒組成的導電聚合物層的織物。該織物為利用導電聚合物化學氧化原位聚合方法在織物表面包覆導電聚合物層而得。本發明的纖維或織物的表面電阻為200Ω/cm2～300MΩ/cm2，與水的接觸角大于160°，滾動角小于14°，表現出高度的自清潔能力，具有電磁屏蔽、抗靜電、隱身、防水、防塵的功能，特別適用于軍工、航天航空、廠礦企業、醫療衛生等領域。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院化學研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村北一街2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610078225.4 【申請日】2006-05-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101070672A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【發明人】朱英; 萬梅香; 江雷 【主權項內容】1、一種超疏水導電纖維，其為表面包覆了厚度為20～1000納米的導電聚合物層 的纖維，所述的導電聚合物層由直徑為400～900納米的導電高分子微粒組成。 ： 【當前權利人】中國科學院化學研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村北一街2號 【統一社會信用代碼】12100000400012238A 【被引證次數】45 【被他引次數】45.0 【家族被引證次數】45
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