【摘要】本發(fā)明是為方便殘疾人使用輪椅上下車(chē)而設(shè)計(jì)的，其由氣動(dòng)裝置(大氣缸1)、底板2、內(nèi)小軸3、套筒4、可移動(dòng)踏板5、滑動(dòng)連接件6、支架7、小氣缸9和電控系統(tǒng)組成。氣動(dòng)裝置(大氣缸1)與可移動(dòng)踏板5通過(guò)內(nèi)小軸3、套筒4相連接，可移動(dòng)踏板5與
【摘要】 一種采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制作的叉指型結(jié)構(gòu)硅發(fā)光二極管，包括：一P型硅襯底；一N阱阱制作在P型襯底上的中間部位；一N+叉指型擴(kuò)散區(qū)制作在N阱內(nèi)；一第一金屬接觸制作在該N+叉指型擴(kuò)散區(qū)上；一P+叉指型擴(kuò)散區(qū)制作在N阱內(nèi)；一第二金屬接觸制作在該P(yáng)+叉指型擴(kuò)散區(qū)上；一P+擴(kuò)散區(qū)保護(hù)環(huán)制作在P型Si襯底上；一第三金屬接觸制作在該P(yáng)+擴(kuò)散區(qū)保護(hù)環(huán)上的一側(cè)；一二氧化硅層覆蓋在器件結(jié)構(gòu)的整個(gè)上表面；一第四金屬接觸制作在該P(yáng)+擴(kuò)散區(qū)保護(hù)環(huán)上的另一側(cè)；在該二氧化硅層的中間制作形成一發(fā)光窗口。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610011448.9 【申請(qǐng)日】2006-03-08 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101034725A 【公開(kāi)公告日】2007-09-12 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100438105C 【授權(quán)公告日】2008-11-26 【授權(quán)公告年份】2008.0 【發(fā)明人】陳弘達(dá); 劉海軍; 黃北舉 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制作的叉指型結(jié)構(gòu)硅發(fā)光二 極管，其特征在于，包括： 一P型硅襯底； 一N阱，該N阱制作在P型襯底上的中間部位； 一N+叉指型擴(kuò)散區(qū)，該N+叉指型擴(kuò)散區(qū)制作在N阱內(nèi)； 一第一金屬接觸，該第一金屬接觸制作在該N+叉指型擴(kuò) 散區(qū)上； 一P+叉指型擴(kuò)散區(qū)，該P(yáng)+叉指型擴(kuò)散區(qū)制作在N阱內(nèi)； 一第二金屬接觸，該第二金屬接觸制作在該P(yáng)+叉指型擴(kuò) 散區(qū)上； 一P+擴(kuò)散區(qū)保護(hù)環(huán)，該P(yáng)+擴(kuò)散區(qū)保護(hù)環(huán)制作在P型Si 襯底上； 一第三金屬接觸，該第三金屬接觸制作在該P(yáng)+擴(kuò)散區(qū)保 護(hù)環(huán)上的一側(cè)； 一二氧化硅層，該二氧化硅層覆蓋在器件結(jié)構(gòu)的整個(gè)上表 面； 一第四金屬接觸，該第四金屬接觸制作在該P(yáng)+擴(kuò)散區(qū)保 護(hù)環(huán)上的另一側(cè)； 在該二氧化硅層的中間制作形成一發(fā)光窗口。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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