【摘要】本發(fā)明公開(kāi)了屬于材料科學(xué)領(lǐng)域的一種具有室 溫鐵磁性的氧化物基稀磁半導(dǎo)體薄膜及其制備方法。所述薄膜 的組成用LixNi1 －x－yMyO來(lái)表 示，o≤x≤0.1，o＜y≤0.1。采用溶膠一凝膠法，在Si襯底上 用旋涂甩膠的方法制備Li
【專(zhuān)利類(lèi)型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】聯(lián)想(北京)有限公司 【申請(qǐng)人類(lèi)型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】100085北京市海淀區(qū)上地信息產(chǎn)業(yè)基地創(chuàng)業(yè)路6號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630000124.6 【申請(qǐng)日】2006-01-05 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN3665673D 【公開(kāi)公告日】2007-07-04 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3665673D 【授權(quán)公告日】2007-07-04 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】楊潤(rùn); 薄亮 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無(wú) 【當(dāng)前權(quán)利人】聯(lián)想(北京)有限公司 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)上地信息產(chǎn)業(yè)基地創(chuàng)業(yè)路6號(hào) 【專(zhuān)利權(quán)人類(lèi)型】有限責(zé)任公司(臺(tái)港澳法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】91110108700000458B
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