【摘要】本發明涉及一種剝離型氯丁橡膠(CR)蛭石納米 復合材料以及其制備方法。制備方法包括：提純蛭石；對蛭石 進行有機化；制備氯丁橡膠生膠蛭石納米復合材料；以及制備 氯丁橡膠蛭石納米復合材料。所得氯丁橡膠(CR)蛭石納米復 合材料的邵爾A硬
【摘要】 本發明一種制作半導體微盤激光器的方法，包括如下步驟：(1)在清洗干凈的結構片表面涂上光刻膠；(2)通過光刻和顯影技術，將所需的圖形轉移到光刻膠上；(3)通過非選擇性濕法腐蝕或者干法刻蝕，根據模式頻率及品質因子與刻蝕深度的變化關系，選擇優化的刻蝕深度，通過準確控制刻蝕時間對刻蝕深度加以控制，得到所需的圓柱形微盤激光器。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011924.7 【申請日】2006-05-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075726A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【發明人】羅賢樹; 黃永箴; 陳沁 【主權項內容】1、一種制作半導體微盤激光器的方法，其特征在于，包 括如下步驟： (1)在清洗干凈的結構片表面涂上光刻膠； (2)通過光刻和顯影技術，將所需的圖形轉移到光刻膠 上： (3)通過非選擇性濕法腐蝕或者干法刻蝕，根據模式頻 率及品質因子與刻蝕深度的變化關系，選擇優化的刻蝕深度， 通過準確控制刻蝕時間對刻蝕深度加以控制，得到所需的圓柱 形微盤激光器。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】10 【被他引次數】9.0 【家族被引證次數】10
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