【摘要】本發明涉及一種利用具有低零相關區的擴頻序列進行導頻，從而有效改善廣義多載波系統中上行鏈路多用戶的信道估計特性和同步特性的方法，屬于移動通信技術領域。本方法包括以下步驟：發送端對各用戶的導頻符號利用零干擾窗或低干擾窗碼字進行時域或頻域
【摘要】 利用納米球反相多孔模板制備尺寸可控納米點 陣列的方法，本發明公開了屬于納米光刻領域的使用反相納米 球模板制備密度和單元尺寸可控的納米點陣列的方法。先通過 單分散核殼結構納米球的自組裝，得到單層規則密排的納米球 模板。通過選擇性溶解的方法獲得反相多孔陣列。利用反應離 子刻蝕技術，對模板中的反相孔進行修飾獲得貫穿的沉積通 道。然后通過薄膜制備技術在模板上沉積一層薄膜，并在選擇 性溶劑中溶解多孔模板，得到規則排列的圓形納米點陣列。通 過與不同材料薄膜制備技術的結合，應用本納米點陣列的制備 方法可以制備出不同材料的高密度、尺寸可控點陣列，可用于 基于納米點陣列的器件制備和性能優化。 ： 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610089737.0 【申請日】2006-07-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1887688A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100537412C 【授權公告日】2009-09-09 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】B82B3/00 【發明人】錢駿; 庹新林; 袁俊; 王曉工 【主權項內容】1.一種利用納米球反相多孔模板制備尺寸可控納米點陣列的方法，其特征在于該方法包 括以下步驟： 1)利用提拉法在硅片上進行單分散核殼結構納米球自組裝，形成單層規則密排的 納米球陣列； 2)將步驟1)中的單層規則密排的納米球陣列置于選擇性溶劑中，控制環境溫度 0～80℃，溶解時間0.5～30min，取出干燥獲得反相多孔陣列模板； 3)將反相多孔陣列模板置于反應離子刻蝕機內，充入反應氣體，刻蝕氣壓為5～50Pa， 功率5～30W，刻蝕時間0.5～30分鐘，獲得貫穿多孔模板； 4)在貫穿多孔模板上沉積一層金屬、合金、半導體或氧化物薄膜，其厚度為20～100nm； 5)將蒸鍍后的多孔模板置于清洗溶劑中超聲清洗5～60min，取出后，用丙酮、酒精、 去離子水按順序清洗，獲得納米點陣列。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】8 【被他引次數】8.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】8
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