【摘要】本發(fā)明公開了加工基于無機(jī)駐極體的MEMS微 發(fā)電機(jī)的方法。本發(fā)明加工方法，包括如下步驟：1)在無機(jī)襯 底表面光刻、濺射金屬電極，剝離得到下金屬電極；2)在無機(jī) 襯底表面沉積無機(jī)駐極體薄膜，經(jīng)光刻腐蝕形成駐極體圖形； 3)在硅襯底上表
【摘要】 本發(fā)明公開了一種提高植物抗逆性的方法。該方 法是將SeNHX1基因和BADH基因通過植物表達(dá)載體轉(zhuǎn)入植 物中，篩選得到抗逆性提高的植物。本發(fā)明方法獲得的含有 SeNHX1的編碼基因和BADH的編碼基因的轉(zhuǎn)基因煙草，不但 抗逆性增強(qiáng)，而且在逆境(特別是在鹽和/或氧化脅迫)下的單株 產(chǎn)量也比野生型植株明顯提高。。： 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院植物研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100093北京市海淀區(qū)香山南辛村20號(hào)中科院植物所 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610164982.3 【申請(qǐng)日】2006-12-11 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1970768A 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100465276C 【授權(quán)公告日】2009-03-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】李銀心; 周樹峰 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種提高植物抗逆性的方法，是將SeNHX1基因和BADH基因通過植 物表達(dá)載體共同轉(zhuǎn)入植物中，篩選得到抗逆性提高的植物。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院植物研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)香山南辛村20號(hào)中科院植物所 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000040000297XF 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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