【摘要】1.后視圖與主視圖相同，省略后視圖。 2.其他視圖無設計要點，省略其他視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】喬雷【申請人類型】個人【申請人地址】101107北京市通州區食品工業園區26號院【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人
【摘要】 本發明公開了加工基于無機駐極體的MEMS微 發電機的方法。本發明加工方法，包括如下步驟：1)在無機襯 底表面光刻、濺射金屬電極，剝離得到下金屬電極；2)在無機 襯底表面沉積無機駐極體薄膜，經光刻腐蝕形成駐極體圖形； 3)在硅襯底上表面光刻，腐蝕出淺槽，并在硅表面注入硼；4) 將所述硅襯底與所述無機襯底表面牢固結合在一起，其中，硅 襯底帶有淺槽的表面與無機襯底帶有駐極體圖形的表面相對； 5)通過光刻并刻蝕上層硅襯底形成上極板，刻蝕位置與駐極體 圖形的位置相對應；6)在無機駐極體薄膜內注入電荷，得到所 述MEMS微發電機。本發明方法具有與集成電路工藝兼容性 好，可批量生產，應用前景廣闊。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區頤和園路5號北京大學 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610113570.7 【申請日】2006-09-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953315A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1953315B 【授權公告日】2010-12-01 【授權公告年份】2010.0 【發明人】張錦文; 郝一龍; 金玉豐; 田大宇; 王穎; 陳治宇 【主權項內容】1、基于無機駐極體的MEMS微發電機的加工方法，包括如下步驟： 1)在無機襯底表面光刻、濺射金屬電極，剝離得到下金屬電極； 2)在無機襯底表面沉積無機駐極體薄膜，經光刻腐蝕形成駐極體圖形； 3)在硅襯底上表面光刻，腐蝕出淺槽，并在硅表面注入硼； 4)將所述硅襯底與所述無機襯底表面牢固結合在一起，其中，硅襯底帶有淺槽 的表面與無機襯底帶有駐極體圖形的表面相對； 5)通過光刻并刻蝕上層硅襯底形成上極板，刻蝕位置與駐極體圖形的位置相對 應； 6)在無機駐極體薄膜內注入電荷，得到所述MEMS微發電機。 【當前權利人】北京大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區頤和園路5號北京大學 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數】6 【家族被引證次數】6
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