【摘要】本發明提供了一種高產納米磁小體的磁螺菌突 變株M.gryphiswaldense NPHB CGMCC No.1831。本發明菌株 通過miniTn5隨機誘變野生型M.gryphiswaldense MSR－1，經 篩選后獲得。磁小
【摘要】 本發明屬于對稱輸出寄存器技術領域，其特征在 于，在狀態發生轉變的充電或者放電支路狀態發生翻轉時均只 有一個晶體管在起控制狀態轉換作用，因此也加快了翻轉速度 和提高了對稱性。由于引入了冗余電路，因而兩種電路在保持 狀態時，能夠對宇宙射線等造成的軟錯誤進行自動恢復，具有 自我修復能力。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114287.6 【申請日】2006-11-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953328A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100471062C 【授權公告日】2009-03-18 【授權公告年份】2009.0 【發明人】林賽華; 楊華中; 汪蕙 【主權項內容】1，具有自修正功能的CMOS對稱輸出由NOR電路變化而得的SR鎖存器，其特征在于，包 含： 第一鎖存器包含狀態Q和狀態QN的鎖存電路， 其中狀態Q鎖存電路含有： 互相串聯的PMOS管p2和p3，該p2管的柵極接QBN信號，該p3管的柵極接輸入 信號R， PMOS管p1的源極和p2管的源極相連后接電源，該p1管的漏極和p3管的漏極相連 后形成信號Q的輸出端，p1的柵極接輸入信號S的反相信號， 互相串聯的NMOS管n2和n3，該n2管的柵極接QN信號，該n3管的柵極接輸入信 號S的反相信號， NMOS管n1的漏極和n3管的漏極相連后形成信號Q的輸出端，該n1管的源極和n2 的源極相連后接地，n1管的柵極接輸入信號R， 其中狀態QN鎖存電路含有： 互相串聯的PMOS管p5和p6，該p5管的柵極接Q信號，該p6管的柵極接輸入信 號S， PMOS管p4的源極和p5管的源極相連后接電源，該p4管的漏極和p6管的漏極相連 后形成信號QN的輸出端，p4的柵極接輸入信號R的反相信號， 互相串聯的NMOS管n6和n5，該n5管的柵極接QB信號，該n6管的柵極接輸入信 號R的反相信號， NMOS管n4的漏極和n6管的漏極相連后形成信號QN的輸出端，該n4管的源極和 n5的源極相連后接地，n4管的柵極接輸入信號S， 第二鎖存器包含狀態QB和狀態QBN的鎖存電路， 其中狀態QB鎖存電路含有： 互相串聯的PMOS管p8和p9，該p8管的柵極接QN信號，該p9管的柵極接輸入信 號R， PMOS管p7的源極和p8管的源極相連后接電源，該p7管的漏極和p9管的漏極相連 后形成信號QB的輸出端，p7的柵極接輸入信號S的反相信號， 互相串聯的NMOS管n9和n8，該n8管的柵極接QBN信號，該n9管的柵極接輸入 信號S的反相信號， NMOS管n7的漏極和n9管的漏極相連后形成信號QB的輸出端，該n7管的源極和 n8的源極相連后接地，n7管的柵極接輸入信號R， 其中狀態QBN鎖存電路含有： 互相串聯的PMOS管p11和p12，該p11管的柵極接QB信號，該p12管的柵極接輸 入信號S， PMOS管p10的源極和p11管的源極相連后接電源，該p10管的漏極和p12管的漏極 相連后形成信號QBN的輸出端，p10的柵極接輸入信號R的反相信號， 互相串聯的NMOS管n12和n11，該n11管的柵極接Q信號，該n12管的柵極接輸 入信號R的反相信號， NMOS管n10的漏極和n12管的漏極相連后形成信號QBN的輸出端，該n10管的源 極和n11的源極相連后接地，n10管的柵極接輸入信號S。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】7 【家族被引證次數】7
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