【專利類型】外觀設計【申請人】北京迪歐吉歐數字視覺技術有限責任公司【申請人類型】企業【申請人地址】100016北京市朝陽區酒仙橋東路1號M2座5層【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】朝陽區【申請號】CN20063014535
【摘要】 本實用新型屬于半導體領域，是一種高光提取效 率的發光二極管。傳統LED所帶高反鏡的為平面板式，側壁 的光不能被利用。本實用新型的二極管包括：P電極加厚電極 (1)，金屬高反鏡(3)，P電極歐姆接觸層(4)，P型半導體(5)，多 量子阱有源區(6)，N電極加厚電極(7)，N電極歐姆接觸層(8)， N型半導體(9)，襯底(10)；由P型半導體(5)，多量子阱有源區 (6)，N型半導體(9)自上而下構成LED的臺；出光面是襯底(10)； 其特征是在LED側壁上交替生長高低折射率材料形成多層介 質高反膜(2)。本實用新型在做側壁鈍化保護的同時，一次生長 多層介質高反膜，工藝簡單，光輸出至少提高20％。。微信 【專利類型】實用新型 【申請人】北京工業大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100022北京市朝陽區平樂園100號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200620001677.8 【申請日】2006-01-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2881964Y 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2881964Y 【授權公告日】2007-03-21 【授權公告年份】2007.0 【發明人】沈光地; 達小麗; 郭霞; 高國 【主權項內容】1、一種高光提取效率的發光二極管依次包括：P電極加厚電 極(1)，金屬高反鏡(3)，P電極歐姆接觸層(4)，P型半導體(5)， 多量子阱有源區(6)，N電極加厚電極(7)，N電極歐姆接觸層(8)， N型半導體(9)，襯底(10)；由P型半導體(5)，多量子阱有源區 (6)，N型半導體(9)自上而下構成LED的臺；P電極歐姆接觸層(4) 位于LED臺頂部的P型半導體(5)表面上；N電極歐姆接觸層(8) 位于LED臺底部的N型半導體(9)之上，與LED臺的側壁不相接觸； 出光面是襯底(10)；其特征是在LED側壁上交替生長高低折射率材 料形成多層介質高反膜(2)。 【當前權利人】北京太時芯光科技有限公司 【當前專利權人地址】北京市大興區經濟技術開發區地澤北街一號一層 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】5
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