【摘要】本發明公開了一種通信系統中告警信息的生成方法，包括：在消息處理過程中，按調用順序記錄所調用的每個功能模塊的標識；發生告警時，將記錄的功能模塊標識寫入告警信息中。本發明還公開了一種告警信息的生成裝置。本發明可以直接從告警信息中得知消息
【摘要】 本發明屬于微電子學與分子電子學中的微細加工領域，特別是一種納米級交叉線陣列結構有機分子器件的制備方法。其步驟如下：1.在基片表面上淀積絕緣層薄膜；2.在絕緣層薄膜表面上旋涂電子束抗蝕劑，電子束曝光、顯影得到下電極圖形；3.蒸發制備下電極金屬；4.金屬剝離得到交叉線下電極；5.在下電極上覆蓋生長有機分子薄膜；6.在有機分子薄膜上蒸發制備金屬保護層；7.在保護層上面旋涂雙層光刻膠，電子束曝光、顯影得到上電極圖形；8.斜向蒸發制備上電極金屬薄膜；9.金屬剝離得到交叉線上電極；10.干法刻蝕保護層，完成交叉線有機分子器件的制備。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610012051.1 【申請日】2006-05-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083301A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100470872C 【授權公告日】2009-03-18 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L51/40 【發明人】商立偉; 涂德鈺; 王叢舜; 劉明 【主權項內容】1、一種納米級交叉線陣列結構有機分子器件的制備方法，是由兩次 電子束光刻、三次金屬蒸發、一次有機薄膜沉積生長，兩次干法刻蝕， 獲得交叉線有機分子器件的；其特征在于，其步驟如下： 步驟1、在基片表面上淀積絕緣層薄膜； 步驟2、在絕緣層薄膜表面上旋涂電子束抗蝕劑，電子束曝光、顯影 得到下電極圖形； 步驟3、蒸發制備下電極金屬薄膜； 步驟4、金屬剝離得到交叉線下電極； 步驟5、在下電極上覆蓋生長有機分子薄膜； 步驟6、在有機分子薄膜上蒸發制備金屬保護層； 步驟7、在保護層上面旋涂雙層電子束抗蝕劑，電子束曝光、顯影得 到上電極圖形； 步驟8、斜向蒸發制備上電極金屬薄膜； 步驟9、金屬剝離得到交叉線上電極； 步驟10、干法刻蝕保護層和有機薄膜層，完成交叉線有機分子器件 的制備。 【當前權利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司; 中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】上海市浦東新區張江路18號; 北京市朝陽區北土城西路3號中國科學院微電子研究所 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數】9 【被自引次數】3.0 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】9
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776057469.html
喜歡就贊一下
