【摘要】本發(fā)明公開了一種TFT LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)， 包括：玻璃基板，形成在玻璃基板上的薄膜晶體管陣列部分， 其中一膜層，形成在玻璃基板和薄膜晶體管陣列部分之間，且 膜層可為聚酰亞胺薄膜。本發(fā)明同時公開了該陣列基板結(jié)構(gòu)的 制造方法，包括：
【摘要】 （，） 。本發(fā)明涉及水輪機葉片的雙相鑄鋼生產(chǎn)工藝，包 括造型、澆注、脫模、清理、焊修、粗加工，其特征在于：鑄 件清理后依次進行分級淬火和低溫回火的雙相熱處理工藝，第 一次淬火處理的溫度為880℃～950℃，水淬；第二次淬火處理 的溫度為770℃～850℃，水淬；低溫回火處理的回火溫度為 170℃～250℃，水冷或空冷。雙相鑄鋼水輪機葉片與成分相當(dāng) 的普通鑄鋼水輪機葉片相比，其抗拉強度、屈服強度均有大幅 度的提高，其耐磨性能更優(yōu)，且經(jīng)雙相熱處理后的水輪機葉片， 不必使用價格昂貴的Cr、Mo、Ni等合金元素也能獲得很高的 綜合機械性能。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】楊希敏 【申請人類型】個人 【申請人地址】100013北京市朝陽區(qū)和平西街西苑20號A座1001室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610138455.5 【申請日】2006-11-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1948515A 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C21D1/19; C22C38/04; C21D1/60; C21D1/18; C21D1/56 【發(fā)明人】楊希敏; 楊云松; 丁大宇 【主權(quán)項內(nèi)容】1.水輪機葉片的雙相鑄鋼生產(chǎn)工藝，包括造型、澆注、脫模、清理、焊修、粗加工，其 特征在于：鑄件清理后進行下述步驟的雙相熱處理工藝： 1)第一次淬火處理，淬火溫度為880℃～950℃，水淬； 2)第二次淬火處理，淬火溫度為770℃～850℃，水淬； 3)低溫回火處理，回火溫度為170℃～250℃，水冷或空冷。 【當(dāng)前權(quán)利人】楊希敏 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)和平西街西苑20號A座1001室 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3
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