【摘要】本發明是關于一種半導體結構及N型金屬氧化物半導體晶體管的形成方法,提供具有高應力溝道區的金屬氧化物半導體晶體管及其形成方法,包括于半導體基板上依序形成第一半導體板、第二半導體板、柵極堆疊,其中第一半導體板的晶格常數實質上大于第二半導
【專利類型】外觀設計 【申請人】歐陽瑩 【申請人類型】個人 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630138279.6 【申請日】2006-10-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300689358D 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300689358D 【授權公告日】2007-09-12 【授權公告年份】2007.0 【發明人】歐陽瑩; 薛立夫·卡瑪拉 【主權項內容】無 【當前權利人】歐陽瑩 【當前專利權人地址】中國臺灣
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