【摘要】一種電連接器的扣合裝置，包括有：一座體，具 有一容置空間，該容置空間中具有一連接數(shù)個(gè)導(dǎo)電端子且外露 于座體一端面的插接單元，該導(dǎo)電端子是延伸出該座體的底 部，且該容置空間開(kāi)放端的周緣設(shè)置有至少二相對(duì)應(yīng)的結(jié)合 部，并于該容置空間開(kāi)放端
【摘要】 一個(gè)溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體廠(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)器件，它包含穿過(guò)氧化物絕緣層進(jìn)入柵極多晶硅和 基體－源極硅區(qū)域開(kāi)出的一些柵極接觸溝槽和源極接觸溝槽。 這些柵極接觸溝槽和源極接觸溝槽被填充以柵極接觸塞和源 極接觸塞，以電接觸柵極多晶硅和源極－基體區(qū)域，這樣，柵 極電阻得以減小，而且可以實(shí)現(xiàn)更小的源極接觸面積。。-官網(wǎng) 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】謝福淵 【申請(qǐng)人類(lèi)型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610109651.X 【申請(qǐng)日】2006-08-14 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1917233A 【公開(kāi)公告日】2007-02-21 【公開(kāi)公告年份】2007 【IPC分類(lèi)號(hào)】H01L29/78; H01L29/40 【發(fā)明人】謝福淵 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】數(shù)據(jù)由整理 1.一個(gè)溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體廠(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件包含一個(gè)被源極區(qū) 域圍繞著的溝槽柵極，而該源極區(qū)域又包含在一個(gè)安置于襯底底表面上的漏極區(qū)域 上面的基體區(qū)域之中，其中，所述MOSFET單元進(jìn)一步包含： 至少兩個(gè)穿過(guò)一個(gè)覆蓋著所述MOSFET器件的絕緣層開(kāi)的接觸溝槽，其中所述的 這些接觸溝槽伸延進(jìn)入所述溝槽柵極和所述基體區(qū)域并填充以一個(gè)柵極接觸塞和 一個(gè)源極接觸塞，以分別電接觸到安置在所述絕緣層頂部的一個(gè)柵極金屬和一個(gè)源 極金屬。 【當(dāng)前權(quán)利人】謝福淵 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北市 【被引證次數(shù)】12 【被他引次數(shù)】12.0 【家族被引證次數(shù)】86
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