【摘要】一種固定磁場的水磁化器，包含：一個安裝座、數個磁化單元，及一條水管。安裝座是由兩個座體對接組裝而成，磁化單元是平行間隔設置在安裝座中，并界定出數個位于兩兩相鄰的磁化單元間的通道，所述磁化單元用于提供磁場。借由磁化單元間隔設置并界定出
【摘要】 本發明提供一種柵極，包括基底，柵介電層，形 成于該基底上，以及柵導電層，形成于該柵介電層上，由堆疊 的多晶硅晶粒所組成，其中該多晶硅晶粒的平均尺寸隨遠離該 基底的方向遞減。本發明還提供一種包含此柵極的金屬氧化物 半導體晶體管及其制造方法。本發明提供一種新穎的柵導電層 多晶硅晶粒排列，其晶粒大小隨接近基底的方向遞增，有效地 阻擋摻雜原子于晶粒外。硅晶粒與 基底間的壓應力可獲得明顯改善，同時減少摻質穿透。此外， 大幅提升了元件性能。另外，本發明形成柵導電層的方法簡單， 與傳統金屬氧化物半導體晶體管制造工藝有極高的兼容性。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610084436.9 【申請日】2006-05-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1964066A 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/43; H01L29/423; H01L29/78; H01L21/28; H01L21/336 【發明人】曾銪; 黃耀輝 【主權項內容】1.一種柵極，包括： 基底； 柵介電層，形成于該基底上；以及 柵導電層，形成于該柵介電層上，由堆疊的多晶硅晶粒所組成，其中該 多晶硅晶粒的平均尺寸隨遠離該基底的方向遞減。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【引證次數】2.0 【被引證次數】3 【他引次數】2.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】14
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