【摘要】本發明描述制造氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃記憶體的方法,其中每個記憶體單元使用硅翼片來形成氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃單元,在所述氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃單元中,源極區域和汲極區域均未摻雜。一
【專利類型】外觀設計 【申請人】星銳縫紉機股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺北縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630015232.0 【申請日】2006-04-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3626430D 【公開公告日】2007-03-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3626430D 【授權公告日】2007-03-28 【授權公告年份】2007.0 【發明人】卓瑞榮 【主權項內容】無 【當前權利人】星銳縫紉機股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北縣
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