【摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種內(nèi)嵌式電感結(jié)構(gòu)，包括至少一線圈以及一磁性體。該線圈是通過(guò)一導(dǎo)電線材自中段處分別向二端部卷繞而成，該線圈內(nèi)埋于該磁性體中。【專利類型】發(fā)明申請(qǐng)【申請(qǐng)人】臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣桃園
【摘要】 一種沉積設(shè)備的清潔方法，首先將一含氟的清潔氣體導(dǎo)入該沉積設(shè)備中，使該含氟的清潔氣體在該沉積設(shè)備中維持在一第一壓力狀態(tài)下。提供一RF功率，點(diǎn)燃該沉積設(shè)備中的該含氟的清潔氣體，產(chǎn)生一等離子體氣體。形成該等離子體氣體后，使該等離子體氣體在該沉積設(shè)備中維持一預(yù)定時(shí)間，并達(dá)到一第一溫度狀態(tài)，進(jìn)行該沉積設(shè)備的第一階段的內(nèi)部清潔。關(guān)掉該RF功率，以停止產(chǎn)生該等離子體氣體，然后，將一含有氟自由基的遠(yuǎn)端等離子體氣體，自一遠(yuǎn)端等離子體供應(yīng)設(shè)備，導(dǎo)入處于該第一溫度下的該沉積設(shè)備中，進(jìn)行第二階段的內(nèi)部清潔。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610077347.1 【申請(qǐng)日】2006-04-29 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101063197A 【公開(kāi)公告日】2007-10-31 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100549226C 【授權(quán)公告日】2009-10-14 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】C23C16/513; C23F1/24; B08B3/00; C23C16/50; C23F1/10 【發(fā)明人】賴建興; 王俊宜 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種沉積設(shè)備的清潔方法，包括： 將含氟的清潔氣體導(dǎo)入該沉積設(shè)備中； 使該含氟的清潔氣體在該沉積設(shè)備中維持在第一壓力狀態(tài)下； 提供RF功率，以點(diǎn)燃該沉積設(shè)備中的該含氟的清潔氣體，產(chǎn)生等離子 體氣體； 形成該等離子體氣體后，使該等離子體氣體在該沉積設(shè)備中維持預(yù)定 時(shí)間，并達(dá)到第一溫度，進(jìn)行該沉積設(shè)備的第一階段的內(nèi)部清潔； 關(guān)掉該RF功率，以停止產(chǎn)生該等離子體氣體；以及 將含有氟自由基的遠(yuǎn)端等離子體氣體，自遠(yuǎn)端等離子體供應(yīng)設(shè)備，導(dǎo) 入處于該第一溫度下的該沉積設(shè)備中，進(jìn)行第二階段的內(nèi)部清潔。 【當(dāng)前權(quán)利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】9 【他引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】9.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】9
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