【摘要】本發明公開了一種可改善寫入范圍的磁性存儲器，包括有一磁性穿隧接面組件與一調整層，磁性穿隧接面組件由一反鐵磁層、一固定層、一穿隧能障絕緣層與一自由層組成，其中該反鐵磁層、該固定層、該穿隧能障絕緣層與該自由層依序形成。調整層形成于磁性穿
【摘要】 本發明公開一種內嵌式電感結構，包括至少一線圈以及一磁性體。該線圈是通過一導電線材自中段處分別向二端部卷繞而成，該線圈內埋于該磁性體中。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺達電子工業股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣桃園縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610006111.9 【申請日】2006-01-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101004965A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01F17/00; H01F27/28; H01F41/00; H01F41/04 【發明人】黃能貴; 高清滿; 許漢正 【主權項內容】1、一種內嵌式電感結構，包括： 至少一線圈，是通過一導電線材自中段處分別向二端部以螺旋方式卷繞 而成；以及 一磁性體，內埋該線圈。 【當前權利人】臺達電子工業股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣桃園縣 【被引證次數】8 【被自引次數】2.0 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】8
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