【摘要】本實用新型提供一種排氣管的遮蔽裝置，包括至少一插槽、遮蔽物以及至少一固定裝置，該插槽向下彎曲延伸形成至少一固接部，該插槽以該固接部固設于排氣管上，該遮蔽物具有遮蔽件以及至少一插片，該遮蔽件向后收縮延伸形成至少一緊固部，該插片固設于該
【摘要】 本發(fā)明是提供一種光刻圖形的形成方法，包含： 形成一第一材料層于一基底上，上述第一材料層實質(zhì)上不含 硅；形成一圖形化的抗蝕劑層于上述第一材料層上，上述圖形 化的抗蝕劑層包含至少一抗蝕劑開口于其中；形成含硅的一第 二材料層于上述圖形化的抗蝕劑層上；以及以上述第二材料層 為罩幕，形成一開口于上述第一材料層中。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610112157.9 【申請日】2006-08-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1916767A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100489665C 【授權公告日】2009-05-20 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G03F7/20; G03F7/00; H01L21/027 【發(fā)明人】張慶裕; 林進祥; 林本堅 【主權項內(nèi)容】1.一種光刻圖形的形成方法，其特征在于，所述光刻圖形的 形成方法包含： 形成一第一材料層于一基底上，該第一材料層實質(zhì)上不含硅； 形成一圖形化的抗蝕劑層于該第一材料層上，該圖形化的抗 蝕劑層包含至少一抗蝕劑開口于其中； 形成一第二材料層于該圖形化的抗蝕劑層上，該第二材料層 含硅；以及 以該第二材料層為罩幕，在該第一材料層開口。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【被引證次數(shù)】6 【被自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】12
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