【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】威剛科技股份有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】中國臺灣【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】臺灣省【申請?zhí)枴緾N200630007857.2【申請日】2006-03-20【申請年份】2006【公開公告號】CN3
【摘要】 本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制造 方法，所述薄膜晶體管陣列基板包括基板、圖案化第一金屬層、 圖案化半導(dǎo)體層、圖案化透明導(dǎo)電層、圖案化絕緣層及圖案化 第二金屬層。其中，薄膜晶體管的各構(gòu)件直立排列，因此具有 高導(dǎo)通電流。另一方面，由共享配線與第二金屬層包夾透明電 極或是由共享配線與透明電極包夾第二金屬層來增加儲存電 容值能，以減少因信號互相耦合所造成的像素閃動，進(jìn)而提升 畫面品質(zhì)。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制造方法， 會在半導(dǎo)體層上下兩側(cè)分別形成歐姆接觸層，以避免產(chǎn)生短信 道效應(yīng)。。數(shù)據(jù)由整理 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】友達(dá)光電股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省新竹市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610169485.2 【申請日】2006-12-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1971886A 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100444355C 【授權(quán)公告日】2008-12-17 【授權(quán)公告年份】2008.0 【發(fā)明人】潘智瑞; 余良彬; 王涌鋒 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，該方法包括以下步驟： 提供一基板； 在該基板上形成一圖案化第一金屬層，以定義出多條共享配線、多條掃 描配線及多條源極圖案，其中所述掃描配線與所述源極圖案在該基板上定義 出多個像素區(qū)域，所述共享配線分別通過所對應(yīng)的該像素區(qū)域且平行于該掃 描配線，而每一源極圖案鄰近于所對應(yīng)的所述掃描配線的位置上分別延伸一 凸出部至所對應(yīng)的所述像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為一源極； 在該基板上形成一圖案化半導(dǎo)體層，以分別在每一像素區(qū)域內(nèi)的該源極 上定義出一第一半導(dǎo)體圖案以及在每一像素區(qū)域內(nèi)的該共享配線上定義出 一第二半導(dǎo)體圖案，且該第二半導(dǎo)體圖案具有暴露出該共享配線的一第一開口 在該基板上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，以在每一像素區(qū)域內(nèi)定義出一像 素電極，其中每一像素電極覆蓋所對應(yīng)的該第一半導(dǎo)體圖案及該第二半導(dǎo)體 圖案，且每一像素電極具有對應(yīng)于該第一開口的一第二開口； 在該基板上形成一圖案化絕緣層，以在每一共享配線上方定義出一第一 絕緣圖案，并且在每一源極圖案的延伸方向與所對應(yīng)的該掃描配線的相交處 定義出一第二絕緣圖案，每一第一絕緣圖案具有對應(yīng)于該第二開口的一第三 開口，且每一第二絕緣圖案延伸覆蓋所對應(yīng)的該源極以及該源極上方的該第 一半導(dǎo)體圖案與該像素電極；以及 在該基板上形成一圖案化第二金屬層，以定義出多條數(shù)據(jù)配線、多個柵 極及多個金屬電極，其中每一數(shù)據(jù)配線分別沿著所對應(yīng)的該源極圖案的延伸 方向而配置于該源極圖案上，每一柵極分別配置于所對應(yīng)的該源極上方的該 第二絕緣圖案上，并延伸連接該掃描配線，每一金屬電極配置于所對應(yīng)的該 像素區(qū)域內(nèi)的該第一絕緣圖案上，并經(jīng)由該第三開口、該第二開口及該第一 開口電性連接至所對應(yīng)的該共享配線。。微信 【當(dāng)前權(quán)利人】友達(dá)光電股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺灣省新竹市
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