【摘要】一個溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)單元，它具有由一源區域圍繞著的溝槽柵極，而該 源區域則處于安置在襯底底面的漏極之上的一個基體區域之 內。該MOSFET單元還具有一個源－基體接觸溝槽，它開得 使其側壁實際上垂直于
【摘要】 本實用新型提供了一種發光模組結構，其包括：一印刷電路板；一第一金屬基座；一發光二極體芯片；一熒光粉層；一透光保護層；以及一第二金屬基座，系可包覆于該第一金屬基座的外側；以使在組合后，該發光二極體芯片所產生的熱可由該第一金屬基座直接傳導至該第二金屬基座，以加快散熱的速度。 【專利類型】實用新型 【申請人】德升電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺北縣中和市中山路2段351號4樓A室 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620148737.9 【申請日】2006-10-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200965217Y 【公開公告日】2007-10-24 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200965217Y 【授權公告日】2007-10-24 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】F21V29/00; F21V19/00; F21V23/00; F21V5/04; F21Y101/02; F21V29/76; F21V29/89; F21Y115/10 【發明人】劉念慈; 陸瑾言; 包忠詒 【主權項內容】1.一種發光模組結構，其特征在于，其包括： 一印刷電路板，其上具有一第一接點、一第二接點及一開 孔； 一第一金屬基座，置于所述印刷電路板下方且可穿過所述 開孔； 一發光二極體芯片，置于所述金屬基座上且外露于所述開 孔； 一熒光粉層，位于所述發光二極體芯片上； 一用以保護所述熒光粉層的透光保護層，位于所述熒光粉 層上；以及 一第二金屬基座，置于所述印刷電路板下方且可包覆于所 述第一金屬基座的外側。 【當前權利人】立德電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新北市新店區寶橋路235巷138號8樓 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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