【摘要】一種系統芯片的半導體結構，包括一基底、一低壓元件、一中壓元件、至少一高壓元件與多個隔離結構。基底具有低壓電路區與高壓電路區。低壓元件與中壓元件配置于低壓電路區的基底上。高壓元件配置于高壓電路區的基底上。隔離結構配置于基底中，用以隔離
【摘要】 一個溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)單元，它具有由一源區域圍繞著的溝槽柵極，而該 源區域則處于安置在襯底底面的漏極之上的一個基體區域之 內。該MOSFET單元還具有一個源－基體接觸溝槽，它開得 使其側壁實際上垂直于上表面而伸延到該源與基體區域之內 并充填以接觸金屬塞。形成一個用基體雜質摻雜的基體－電阻 減小區域，以圍繞該源－基體接觸溝槽來減小在該源－基體接 觸金屬與溝槽柵極之間的基體－區域電阻，從而改進雪崩能 力。 【專利類型】發明申請 【申請人】謝福淵 【申請人類型】個人 【申請人地址】中國臺灣臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610153011.9 【申請日】2006-09-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1941417A 【公開公告日】2007-04-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1941417B 【授權公告日】2010-06-23 【授權公告年份】2010.0 【發明人】謝福淵 【主權項內容】1.一個溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)單元，包含一個由一個 源區域圍繞的溝槽柵極，該源區域則處于安置在襯底底面上的漏極區域之上的基體 區域之中，其中上述的MOSFET單元還包含： 一個源-基體接觸溝槽，它開得側壁伸延于上述的源區域和基體區域并實際上 垂直于上表面，且充填以接觸金屬塞；以及 一個具有基體-電阻-減小-雜質的基體-電阻-減小區域，它安置在直接貼近上 述源-基體接觸溝槽的上述基體區域之中，借以增強上述MOSFET單元被形成雪崩能 力。 【當前權利人】謝福淵 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北市 【被引證次數】32 【家族被引證次數】61
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