【摘要】一個(gè)溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)單元，它具有由一源區(qū)域圍繞著的溝槽柵極，而該 源區(qū)域則處于安置在襯底底面的漏極之上的一個(gè)基體區(qū)域之 內(nèi)。該MOSFET單元還具有一個(gè)源－基體接觸溝槽，它開得 使其側(cè)壁實(shí)際上垂直于
【摘要】 本實(shí)用新型提供一種USB移動(dòng)盤的改良結(jié)構(gòu)，其包括殼體、電路裝置及保護(hù)蓋，在殼體側(cè)邊設(shè)有至少一個(gè)滑槽，將電路裝置設(shè)于殼體之內(nèi)，在電路裝置前端連接一個(gè)USB接頭，其露出于殼體之外，并將保護(hù)蓋設(shè)置在殼體及USB接頭外；保護(hù)蓋可借助滑槽在殼體外前后移動(dòng)，且保護(hù)蓋前端設(shè)有一個(gè)長方形孔洞，當(dāng)保護(hù)蓋往后移動(dòng)與殼體重疊時(shí)，USB接頭便從該長方形孔洞中伸出，而當(dāng)不使用時(shí)，保護(hù)蓋便移動(dòng)至殼體的最前端，以保護(hù)USB接頭不致摩擦損壞。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請人】谷崧精密工業(yè)股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺(tái)灣省桃園縣中壢市中正路1274巷42號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺(tái)灣省 【申請?zhí)枴緾N200620120065.0 【申請日】2006-06-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2935382Y 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN2935382Y 【授權(quán)公告日】2007-08-15 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】G11C5/00 【發(fā)明人】黃國良 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種USB移動(dòng)盤的改良結(jié)構(gòu)，其特征在于包括： 一個(gè)殼體，其側(cè)邊設(shè)有至少一個(gè)滑槽； 一個(gè)電路裝置，其設(shè)置于該殼體之內(nèi)，在該電路裝置中包括一個(gè)儲(chǔ)存 數(shù)據(jù)的內(nèi)存裝置，且在該電路裝置上連接有一個(gè)USB接頭，其露出該殼體 之外，插接在計(jì)算機(jī)的USB插槽中，傳輸該電路裝置與該計(jì)算機(jī)之間的數(shù) 據(jù)；以及 一個(gè)保護(hù)蓋，其裝設(shè)在該殼體及該USB接頭之外，能夠沿著該滑槽前 后滑動(dòng)，在該保護(hù)蓋前端設(shè)有一個(gè)長方形孔洞，當(dāng)該保護(hù)蓋滑動(dòng)至該滑槽 底部時(shí)，該USB接頭從該長方形孔洞中伸出。 【當(dāng)前權(quán)利人】谷崧精密工業(yè)股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺(tái)灣省桃園縣中壢市中正路1274巷42號 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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