【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】英保達(dá)股份有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣臺(tái)北市【申請(qǐng)人地區(qū)】中國【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630000205.6【申請(qǐng)日】2006-01-04【申請(qǐng)年份】2006【公開公告號(hào)】C
【摘要】 本發(fā)明提供一種非易失性浮置柵極存儲(chǔ)單元及其制造方法。上述非易失性浮置柵極存儲(chǔ)單元包括具有第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底上的第一區(qū)域，具有相異于該第一導(dǎo)電型的第二導(dǎo)電型；位于半導(dǎo)體襯底上具有第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域，與第一區(qū)域隔離；溝道區(qū)，連接第一區(qū)域與第二區(qū)域，做為電荷溝道；設(shè)置于溝道區(qū)上的介電層；設(shè)置于介電層上的控制柵極；設(shè)置于半導(dǎo)體襯底與控制柵極上的隧穿介電層；以及在隧穿介電層上的兩個(gè)電荷儲(chǔ)存點(diǎn)，彼此相隔離且位于控制柵極的側(cè)壁相對(duì)的側(cè)端上。本發(fā)明的二元非易失性存儲(chǔ)器元件，由于兩個(gè)多晶硅電荷儲(chǔ)存點(diǎn)的距離可隨控制柵極的寬度而跟著微縮，使得工藝的精度得以提升。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣新竹市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610121422.X 【申請(qǐng)日】2006-08-22 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1988179A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN1988179B 【授權(quán)公告日】2012-05-30 【授權(quán)公告年份】2012.0 【IPC分類號(hào)】H01L29/788; H01L29/423; H01L27/115; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/8247 【發(fā)明人】李自強(qiáng); 楊富量; 黃俊仁; 李宗霖 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種非易失性浮置柵極存儲(chǔ)單元，包括： 具有一第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底； 第一區(qū)域，位于該半導(dǎo)體襯底上，具有相異于該第一導(dǎo)電型的第二導(dǎo)電 型； 具有該第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域，位于該半導(dǎo)體襯底上，且與該第一區(qū)域 隔離； 溝道區(qū)，連接該第一區(qū)域與該第二區(qū)域，做為電荷溝道； 介電層，設(shè)置于該溝道區(qū)上； 控制柵極，設(shè)置于該介電層上； 隧穿介電層，設(shè)置于該半導(dǎo)體襯底與該控制柵極上；以及 兩個(gè)電荷儲(chǔ)存點(diǎn)，設(shè)置于該隧穿介電層上，彼此相隔離且位于該控制柵 極的側(cè)壁相對(duì)端。 ： 【當(dāng)前權(quán)利人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣新竹市 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】7 【他引次數(shù)】1.0 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】10.0 【家族被引證次數(shù)】9
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