【摘要】本發明提供一種半導體元件及其形成方法。一種 互補型金屬氧化物半導體晶體管的補償間隙壁及其制造方法。 在基板上形成柵極電極，及在該柵極電極和基板上形成一補償 掩膜。該補償掩膜可為一氧化層且在注入時作為一掩膜，如口 袋注入和輕摻雜漏極注
【摘要】 本發明公開一種靜電放電防護電路，適用于射頻 內部電路，其包括：至少一條傳輸線，串接于接合墊與射頻內 部電路之間，所述傳輸線的兩端都具有節點；電源軌；以及 ESD單元，耦接于各節點與上述電源軌之間，包括至少一個靜 電放電單元；其中接近所述接合墊的所述靜電放電單元可承受 較高等級的靜電放電應力。靜電放電單元用以釋放靜電放電電 流，并且傳輸線提供射頻匹配。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610079826.7 【申請日】2006-05-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1913740A 【公開公告日】2007-02-14 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H05F3/04; H05F3/00 【發明人】柯明道; 李健銘 【主權項內容】1.一種靜電放電防護電路，具有阻抗匹配，包括： 至少一條傳輸線，串接于接合墊與射頻內部電路之間，所述傳輸線的兩 端都具有節點； 電源軌；以及 ESD單元，耦接于各節點與上述電源軌之間，包括至少一個靜電放電單 元； 其中接近所述接合墊的所述靜電放電單元可承受較高等級的靜電放電 應力。。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】11 【被自引次數】4.0 【被他引次數】7.0 【家族引證次數】9.0 【家族被引證次數】39
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776915224.html
喜歡就贊一下
