【摘要】本發(fā)明公開了一種歸類化節(jié)目選擇裝置與方法，主要以特定歸類方式提供可收視的選臺(tái)節(jié)目表。在本發(fā)明歸類化節(jié)目選擇裝置與方法中，不論是采用類型搜尋、關(guān)鍵字搜尋、熱門搜尋，均需借助于節(jié)目數(shù)據(jù)庫(kù)所儲(chǔ)存的多筆影音節(jié)目數(shù)據(jù)。找到符合特定歸類方式的影
【摘要】 本發(fā)明公開了一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括基底、第一存儲(chǔ)單元列、第一源極區(qū)/漏極區(qū)及第二源極區(qū)/漏極區(qū)。第一存儲(chǔ)單元列設(shè)置于基底上，第一存儲(chǔ)單元列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元、兩個(gè)選擇柵極結(jié)構(gòu)及多個(gè)摻雜區(qū)。選擇柵極結(jié)構(gòu)分別設(shè)置于這些存儲(chǔ)單元中最外側(cè)的存儲(chǔ)單元的一側(cè)的基底上，且選擇柵極在遠(yuǎn)離存儲(chǔ)單元的一側(cè)具有一個(gè)斜角。摻雜區(qū)分別設(shè)置于兩個(gè)存儲(chǔ)單元之間的基底中及存儲(chǔ)單元與選擇柵極結(jié)構(gòu)之間的基底中。第一源極區(qū)/漏極區(qū)與第二源極區(qū)/漏極區(qū)分別設(shè)置于第一存儲(chǔ)單元列兩側(cè)的基底中。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】力晶半導(dǎo)體股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610004395.8 【申請(qǐng)日】2006-02-16 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101022111A 【公開公告日】2007-08-22 【公開公告年份】2007 【IPC分類號(hào)】H01L27/115; H01L29/78; H01L21/8247; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/02; H01L21/70; H01L29/66 【發(fā)明人】賴亮全; 王炳堯 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括： 基底； 第一存儲(chǔ)單元列，設(shè)置于該基底上，該第一存儲(chǔ)單元列包括： 多個(gè)存儲(chǔ)單元，串聯(lián)設(shè)置于該基底上； 兩個(gè)選擇柵極結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置于該多個(gè)存儲(chǔ)單元中最外側(cè)的該多個(gè)存儲(chǔ) 單元的一側(cè)的該基底上，且各該選擇柵極結(jié)構(gòu)在遠(yuǎn)離該多個(gè)存儲(chǔ)單元的一側(cè) 具有斜角；以及 多個(gè)摻雜區(qū)，分別設(shè)置于兩個(gè)存儲(chǔ)單元之間的該基底中及該多個(gè)存儲(chǔ)單 元與該兩選擇柵極結(jié)構(gòu)之間的該基底中；以及 第一源極區(qū)/漏極區(qū)及第二源極/漏極區(qū)，分別設(shè)置于該第一存儲(chǔ)單元列 兩側(cè)的該基底中。 【當(dāng)前權(quán)利人】力晶半導(dǎo)體股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
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