【摘要】本實用新型涉及一種織線結構，屬于紡織類。其織線內部為一心軸線束，外部包覆有一披覆層，該披覆層相等間距形成有多數的結頭；該心軸線束為一種高強力拉線，該心軸線束可為一種聚酯樹脂纖維絲；該披覆層為塑膠發泡層、塑膠層或PVC發泡層。優點在于
【摘要】 本發明涉及一種半導體裝置及高壓P型金屬氧化 物半導體裝置，具體為具有靜電放電防護功能的高壓PMOS晶 體管的半導體裝置，包括PMOS晶體管、N型埋藏層以及P 型基底。PMOS晶體管包括設置于高壓P阱區中且摻雜P型雜 質的第一源/漏極區，設置于高壓N阱區中且摻雜P型雜質的 第二源/漏極區，高壓P阱區是與高壓N阱區實體接觸，與第 一源/漏極區實體接觸的場區是大體設置接近高壓P阱區與高 壓N阱區的接面，且大體設置于柵極介電層下；具有高摻雜濃 度的第一N型區是設置于高壓P阱區中，并相鄰于第一源/漏 極區。具有高摻雜濃度的N型埋藏層是設置于高壓P阱區與高 壓N阱區下方。P型基底是設置于N型埋藏層下方。。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610007824.7 【申請日】2006-02-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1913174A 【公開公告日】2007-02-14 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100452433C 【授權公告日】2009-01-14 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L29/78; H01L23/60 【發明人】李建興; 鐘于彰 【主權項內容】1.一種高壓P型金屬氧化物半導體裝置，其特征在于，具有 靜電放電防護功能，所述高壓P型金屬氧化物半導體裝置包括： 一基底，摻雜具有一第一導電型態的雜質； 一埋藏層，設置于上述基底中，并且摻雜具有一第二導電型 態的雜質，其中上述第二導電型態不同于上述第一導電型態； 一第一高壓阱區，覆蓋上述埋藏層，并且摻雜具有上述第一 導電型態的雜質； 一第二高壓阱區，覆蓋上述埋藏層，并且摻雜具有上述第二 導電型態的雜質，其中上述第二高壓阱區是與上述第一高壓阱區 有實體接觸； 一場區，設置于上述第一高壓阱區中接近上述第一高壓阱區 與第二高壓阱區之間的接面處； 一第一摻雜區以及一第二摻雜區，摻雜具有上述第一導電型 態的雜質，其中上述第一摻雜區是設置于上述第一高壓阱區中， 并且與上述場區有實體接觸，且上述第二摻雜區是設置于上述第 二高壓阱區中； 一第三摻雜區，設置于上述第一高壓阱區中并與上述第一摻 雜區有實體接觸，并且摻雜具有上述第二導電型態的雜質； 一柵極介電層，設置于上述場區、第一高壓阱區以及第二高 壓阱區上，上述柵極介電層具有對齊于上述第二摻雜區的側邊的 一第一側邊，以及覆蓋上述場區的一第二側邊；以及 一柵電極，設置于上述柵極介電層上。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】21 【被自引次數】3.0 【被他引次數】18.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】80
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