【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】英保達(dá)股份有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】中國臺灣臺北市【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】臺灣省【申請?zhí)枴緾N200630009548.9【申請日】2006-04-26【申請年份】2006【公開公告號】C
【摘要】 提供一襯底，其上有氧化硅層、第一氮化硅層、淺溝隔離、第二氮化硅層，形成圖案化多晶硅層于第二氮化硅層上，利用圖案化多晶硅層進(jìn)行蝕刻，以形成深溝渠開口，蝕刻去除圖案化多晶硅層，同時蝕刻襯底以加深深溝渠開口以及填入一電容結(jié)構(gòu)于深溝渠開口中。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610005186.5 【申請日】2006-01-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101000894A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100468702C 【授權(quán)公告日】2009-03-11 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/8242; H01L21/02; H01L21/70 【發(fā)明人】葉大川; 鐘倪閔; 黃國書; 林永昌; 李瑞池; 王建國 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種制作深溝渠電容的方法，包括： 提供一襯底，其上有一氧化硅層、一第一氮化硅層、一淺溝隔離于該 襯底、該氧化硅層、該第一氮化硅層之間； 形成一第二氮化硅層于該氧化硅層、該第一氮化硅層和該淺溝隔離上； 形成一圖案化多晶硅層于該第二氮化硅層上； 利用該圖案化多晶硅層對該第二氮化硅層、該第一氮化硅層、該氧化 硅層、該淺溝隔離進(jìn)行蝕刻，以形成一深溝渠開口； 蝕刻去除該圖案化多晶硅層，并同時蝕刻該襯底以加深該深溝渠開口； 以及 填入一電容結(jié)構(gòu)于該深溝渠開口中。 【當(dāng)前權(quán)利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】2
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