【摘要】本實用新型揭示高壓集成電路。高壓集成電路包括低壓控制電路、浮動電路、P襯底、設置在襯底中的深N阱和設置在P襯底中的多個P阱。P阱和深N阱充當隔離結構。低壓控制電路位于深N阱的外部，且浮動電路位于深N阱的內部。深N阱形成高壓結型勢壘，
【摘要】 本發明為一種擴充式儲存卡構造及其制造方法，包括有一第一儲存卡、一第二儲存卡、一電路連接板及封膠層，該第一儲存卡設有一第一端及一第二端，該第一端形成有一第一訊號連接端；該第二儲存卡形成有一第二訊號連接端；該電路連接板系用以電連接該第一儲存卡的第一訊號連接端及該第二儲存卡的第二訊號連接端；及該封膠層系用以將電路連接板與該第一儲存卡及該第二儲存卡同時封裝連接。 【專利類型】發明申請 【申請人】協泰國際股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610072140.5 【申請日】2006-04-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055624A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【發明人】盧永添 【主權項內容】1.一種擴充式儲存卡構造，包括有： 一第一儲存卡，設有一第一端及一第二端，第一端形成有一第一訊號 連接端； 一第二儲存卡，其上形成有一第二訊號連接端； 一電路連接板，是連接第一儲存卡的第一訊號連接端及第二儲存卡的 第二訊號連接端。 ： 【當前權利人】協泰國際股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市
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