【摘要】一種多晶硅膜的制造方法，其步驟至少包括：提供基板，其中于基板上至少形成有金屬層，接著于基板上直接沉積多晶硅膜，然后對多晶硅膜進行熱板退火工藝。通過本發明之多晶硅膜的制造方法，能夠以較低的制造成本、較高的產率制造出高效能的多晶硅薄膜晶
【摘要】 本實用新型公開了一種高強度放電燈如金鹵燈 用的電子鎮流器，它是在現有的EMC電路，全橋整流電路， BOOST升壓及APFC電路和DC/AC逆變電路的基礎上，增加 了頻率控制電路，使DC/AC逆變電路按高頻 F1和低頻 F2來工作，在高頻 F1狀態，利用LC諧振及環型鐵 芯變壓器升壓，把金鹵燈點亮，接著轉入低頻狀態，使金鹵燈 工作在低頻狀態，消除聲共振現象。當電源電壓從90V－255V、 50Hz/60Hz變化時，金鹵燈的燈功率變化僅±1％W，線路輸入 功率因子達到0.98以上。工作頻率從50Hz升到300－400Hz， 環型鐵芯變壓器的體積、重量也縮小到原來的1/2.6左右。 【專利類型】實用新型 【申請人】陳球南 【申請人類型】個人 【申請人地址】臺灣省臺北市龍江路21巷9號－5 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620003833.4 【申請日】2006-02-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2899381Y 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2899381Y 【授權公告日】2007-05-09 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H05B41/14; H05B41/288 【發明人】高季蓀 【主權項內容】： 1、一種高強度放電燈用電子鎮流器，它包括EMC濾波器電路(A)、全橋 整流電路(B)、升壓式有源功率因數校正電路(C)、可編程頻率變換和驅動 DC/AC電路(D)，其特征在于： 在所述升壓式有源功率因數校正電路(C)和可編程頻率變換和驅動DC/AC 電路(D)之間增加有一用來改變所述可編程頻率變換和驅動DC/AC電路(D) 工作頻率的頻率控制電路(E)； 在所述可編程頻率變換和驅動DC/AC電路(D)的輸出端增加有一由LC諧 振及環形鐵芯升壓變壓器組成的高強度放電燈點亮及鎮流電路(F)； 所述頻率控制電路(E)由繼電器(JA)、第一、第二、第三、第四電阻 (R9、R10、R11、R12)、電解電容(C6)、電容(C8A)/或第五電阻(R13A)、 NPN晶體三極管(Q2)所組成；第一電阻(R9)的一端接到所述BOOST升壓-APFC 電路(C)的高壓輸出端上，第一電阻(R9)的另一端接電解電容(C6)的正 端；電解電容(C6)的負端接第四電阻(R12)和第二電阻(R10)；第二電阻 (R10)的另一端接入公共地COM，第四電阻(R12)的另一端接NPN晶體三極 管(Q2)的基極；NPN晶體三極管(Q2)的發射極接公共地COM，NPN晶體三極 管(Q2)的集電極連接繼電器(JA)激磁繞組的一端，繼電器(JA)激磁繞組 的另一端接降壓第三電阻(R11)的一端；第三電阻(R11)的另一端接到BOOST 升壓-APFC電路(C)的高壓輸出端上；繼電器(JA)的常閉觸點(JB)一端接 電容(C8A)/或第五電阻(R13A)，另一端接可編程頻率變換和驅動DC/AC電 路(D)中IR2155芯片的3腳；電容(C8A)/或第五電阻(R13A)的另一端接 入公共地COM； 所述高強度放電燈點亮及鎮流電路(F)由電感器(L3)、電容(C14)、 初級繞組為(N1)次級繞組為(N2)的升壓變壓器(B2)、第一、第二電解電容(C15、 C16)構成；電感器(L3)的一端接到可編程頻率變換和驅動DC/AC電路(D) 中的場效應管(Q3與Q4)的連接點(M)；電感器(L3)的另一端與電容(C14) 的一引腳和金屬鹵化物燈(LAMP)的一個電極(P1)相連；電容(C14)的另一引 腳和變壓器(B2)的初級繞組(N1)的1端相連接，金屬鹵化物燈的另一個電極 (P2)與升壓變壓器(B2)的次級繞組(N2)的3端相連接；變壓器(B2)的初級 繞組(N1)的2端與升壓變壓器(B2)的次級繞組(N2)的4端接起來連到電解電 容(C15、C16)的串接點(S)；第一電解電容(C15)的正極接到BOOST升壓-APFC 電路(C)的高壓輸出端①，負端接到電解電容(C15、C16)的串接點(S)；第二 電解電容(C16)的正端接到串接點(S)，負端接到公共地COM。 【當前權利人】陳球南 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市龍江路21巷9號－5 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族被引證次數】2
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