【摘要】本發明是有關于一種可程式化非揮發性記憶體 裝置及其形成方法,該方法與互補式金氧半導體(CMOS)邏輯 裝置制程相容,用以改善制程流程,該可程式化非揮發性記憶 體裝置包括一半導體基底主動區;一閘極介電層在該半導體基 底主動區上;一浮接
【專利類型】外觀設計 【申請人】郭賜福 【申請人類型】個人 【申請人地址】臺灣省臺北市北投區石牌路二段357巷11號11樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630016886.5 【申請日】2006-06-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3628584D 【公開公告日】2007-04-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3628584D 【授權公告日】2007-04-04 【授權公告年份】2007.0 【發明人】郭賜福 【主權項內容】無 【當前權利人】郭賜福 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市北投區石牌路二段357巷11號11樓
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