【摘要】一種沉積設備的清潔方法，首先將一含氟的清潔氣體導入該沉積設備中，使該含氟的清潔氣體在該沉積設備中維持在一第一壓力狀態(tài)下。提供一RF功率，點燃該沉積設備中的該含氟的清潔氣體，產(chǎn)生一等離子體氣體。形成該等離子體氣體后，使該等離子體氣體在
【摘要】 一種具內藏式電容結構的芯片封裝體，其包括集成電路元件、電容元件、封裝架體以及封裝膠體。電容元件設置于集成電路元件上。電容元件包括第一金屬片、第二金屬片以及介電層，其中介電層設置于第一金屬片與第二金屬片之間。封裝架體設置于第二金屬片的遠離介電層的表面上。第一金屬片與封裝架體電連接、第二金屬片與封裝架體電連接、集成電路元件與封裝架體電連接、集成電路元件與第一金屬片電連接以及集成電路元件與第二金屬片電連接。封裝膠體設置于封裝架體上，以固定集成電路元件、電容元件以及封裝架體。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】財團法人工業(yè)技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】臺灣省新竹縣竹東鎮(zhèn)中興路四段195號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610007882.X 【申請日】2006-02-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026151A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L25/16; H01L23/488; H01L23/31 【發(fā)明人】彭錦星; 吳仕先; 李明林; 賴信助 【主權項內容】1.一種具內藏式電容結構的芯片封裝體，其特征是包括： 集成電路元件，具有主動表面； 電容元件，設置于該主動表面上，該電容元件包括： 第一金屬片，設置于該主動表面上； 第二金屬片；以及 介電層，設置于該第一金屬片與該第二金屬片之間； 封裝架體，設置于該第二金屬片的遠離該介電層的表面上，其 中該第一金屬片與該封裝架體電連接、該第二金屬片與該封裝架體電 連接、該集成電路元件與該封裝架體電連接、該集成電路元件與該第 一金屬片電連接以及該集成電路元件與該第二金屬片電連接；以及 封裝膠體，設置于該封裝架體上，以固定該集成電路元件、該 電容元件以及該封裝架體。 【當前權利人】財團法人工業(yè)技術研究院 【當前專利權人地址】臺灣省新竹縣竹東鎮(zhèn)中興路四段195號
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